新洁能MOS NCE0117K 特价供应

概述NCE0117K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用。

特性
[*]VDS = 100 V, ID = 17 A
[*]RDS(ON)< 70 m Ω@ VGS=10 V (典型值:56mΩ)
[*]RDS(ON)< 85 m Ω@ VGS=4.5 V (典型值:65 m Ω )
[*]高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
[*]雪崩电压和电流特性完全表征
[*]高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
[*]出色的封装,散热性能良好
[*]采用特殊工艺技术,具备高ESD能力


应用领域-电源开关应用-硬开关和高频电路