新洁能MOS NCE0224K 特价供应

概述NCE0224K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON),适用于多种应用场景。


特性
[*]VDS = 200V,ID = 24A
[*]RDS(ON) < 80 m Ω(在 VGS = 10 V 时,典型值为64mΩ)
[*]高密度单元设计,实现超低导通电阻
[*]雪崩电压和电流特性完全表征
[*]具有高 EAS,稳定性和一致性良好
[*]采用散热性能良好的封装
[*]采用特殊工艺技术,具备高ESD能力


应用领域
[*]电源开关应用
[*]硬开关和高频电路
[*]不间断电源