STM32H753XIH6高性能MCU/TPS54360DDAR降压稳压器/SC431AVSNT1G电压基准

明佳达电子，星际金华 供应 STM32H753XIH6高性能MCU/TPS54360DDAR降压稳压器/SC431AVSNT1G电压基准

STM32H753XIH6 高性能Arm Cortex-M7 32位MCU

产品描述
STM32H753XIH6高性能MCU基于高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC内核，工作频率高达480MHz。Cortex-M7内核具有浮点单元 (FPU) 精度，支持Arm双精度（符合IEEE 754标准）和单精度数据处理指令与数据类型。STM32H753XIH6 MCU支持全套DSP指令和存储器保护单元 (MPU)，可增强应用的安全性。

这些特性使STM32H753XIH6微控制器适用于广泛的应用：
• 电机驱动和应用控制
• 医疗设备
• 工业应用： PLC、变频器、断路器
•  打印机，和扫描器
• 报警系统、可视对讲机和暖通空调
• 家庭音频设备
• 移动应用、物联网
• 可穿戴设备：智能手表

产品规格
核心处理器： ARM® Cortex®-M7  
内核规格： 32 位单核  
速度： 480MHz  
连接能力： CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG
外设： 欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT  
I/O 数： 168
程序存储容量：2MB（2M x 8）  
程序存储器类型： 闪存  
RAM 大小： 1M x 8  
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)： 1.62V ~ 3.6V
数据转换器： A/D 36x16b; D/A 2x12b
振荡器类型： 内部  
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）  

TPS54360DDAR 60V 3.5A 带Eco-Mode™技术的降压DC/DC转换器

TPS54360DDAR是一款集成高侧MOSFET的60V、3.5A降压稳压器。该器件符合ISO 7637标准，可承受高达65V的负载突降脉冲。电流模式控制简化了外部补偿设计并支持灵活的元件选型。低纹波跳脉冲模式将空载供电电流降至146μA，当使能引脚拉低时，关断供电电流更可降至2μA。

特性
4.5V至60V（最大绝对值65V）输入电压范围
3.5A连续电流，4.5A最小峰值电感电流限制
电流模式控制DC/DC转换器
92mΩ高侧MOSFET
轻载时采用脉冲跳过Eco-mode™技术实现高效率
轻载低压差设计，集成启动充电FET
146μA工作静态电流
2μA关断电流
100kHz至2.5MHz固定开关频率
支持外部时钟同步
可调欠压锁定电压与迟滞
内置软启动
精确周期电流限制
热保护、过压保护及频率折返保护
0.8V 1%内部电压基准
8引脚HSOIC封装（含PowerPAD™电源垫）
-40°C至150°C TJ工作温度范围

应用领域
12V、24V及48V工业、汽车与通信电源系统

SC431AVSNT1G 电压基准IC 2.5V可编程精密基准

SC431AVSNT1G是一款三端可编程分流稳压二极管。该单片集成电路电压基准作为低温系数齐纳二极管工作，通过两个外部电阻可编程设置基准电压范围从Vref至36V。

特性
可编程输出电压至36V
低最小工作电流：40 µA（典型值，25°C）
电压基准精度：±0.5%（典型值，25°C）
低动态输出阻抗：0.22（典型值）
40 µA至100 mA的漏极电流能力
典型等效全温差系数：50 ppm/°C
全额定工作温度范围内的温度补偿

典型应用
电压转换器
开关电源
精密电压基准
充电器
仪器仪表