（IC）DSPIC33EP256MU810-I/PT [STM32L151V8T6A]，MT53E128M32D2DS-053 IT:A 供应

[供应芯片] 明佳达电子、星际金华——供应三款原装IC芯片：DSPIC33EP256MU810-I/PT、STM32L151V8T6A、MT53E128M32D2DS-053 IT:A。
DSPIC33EP256MU810-I/PT——具备双电机控制功能的 16位 dsPIC™ 33EP 数字信号控制器（DSCs）
STM32L151V8T6A——32MHz，32位单核 ARM® Cortex®-M3 微控制器IC
MT53E128M32D2DS-053 IT:A——4Gbit，LPDDR4 DRAM 动态随机存取存储器
供应原装库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！

DSPIC33EP256MU810-I/PT：具备双电机控制功能的 16位 dsPIC™ 33EP 数字信号控制器（DSCs），TQFP-100
系列：dsPIC™ 33EP
核心处理器：dsPIC
内核规格：16 位
速度：60 MIPs
I/O 数：83
程序存储容量：256KB（85.5K x 24）
程序存储器类型：闪存
RAM 大小：12K x 16
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：3V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 32x10b/12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：100-TQFP（12x12）

STM32L151V8T6A：32MHz，32位单核 ARM® Cortex®-M3 微控制器IC，LQFP-100核心处理器：ARM® Cortex®-M3内核规格：32 位单核速度：32MHzI/O 数：83程序存储容量：64KB（64K x 8）程序存储器类型：闪存EEPROM 容量：4K x 8RAM 大小：32K x 8电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.8V ~ 3.6V数据转换器：A/D 24x12b; D/A 2x12b振荡器类型：内部工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）安装类型：表面贴装型
封装/外壳：100-LQFP（14x14）
MT53E128M32D2DS-053 IT:A——4Gbit，LPDDR4 DRAM 动态随机存取存储器，WFBGA-200类型：SDRAM Mobile - LPDDR4存储容量：4 Gbit数据总线宽度：32 bit最大时钟频率：1.866 GHz封装 / 箱体：WFBGA-200组织：128 M x 32访问时间：3.5 ns电源电压-最小：1.06 V电源电压-最大：1.95 V最小工作温度：- 40 ℃最大工作温度：+ 95 ℃
产品种类：DRAM - 动态随机存取存储器