存储器CXDQ3BFAM-CJ-A、MT53E2G32D4DE-046——MK64FN1M0VLL12微控制器
2025年09月05日 11:06 发布者：Mingjiada
明佳达电子、星际金华现供应三款原装IC——CXDQ3BFAM-CJ-A存储 DDR4内存芯片、MT53E2G32D4DE-046 WT:A动态随机存取存储器、MK64FN1M0VLL12（Kinetis K60 微控制器IC）。CXDQ3BFAM-CJ-A：存储 DDR4内存芯片，BGA-96电源 ：- VDD = VDDQ = 1.2V (1.14V 至 1.26V)- VPP = 2.5V (2.375V 至 2.75V)JEDEC 标准封装：x1696-ball FBGA阵列配置：8 组 (x16) 2 组 4 组8n 位预取架构接口： 1.2V 伪开漏 (POD)IO工作温度：0°C ≤ TCase ≤ 95°C
MT53E2G32D4DE-046 WT:A：64Gbit、LPDDR4 动态随机存取存储器，TFBGA-200存储器类型：易失存储器格式：DRAM技术：SDRAM - 移动LPDDR4X存储容量：64Gb存储器组织：2G x 32存储器接口：并联时钟频率：2.133 GHz写周期时间 - 字，页：18ns访问时间：3.5 ns电压 - 供电：1.06V ~1.17V工作温度：-25°C ~ 85°C（TC）安装类型：表面贴装型封装/外壳：200-TFBGA
供应商器件封装：200-TFBGA（10x14.5）
MK64FN1M0VLL12：20MHz、32位 ARM® Cortex®-M4 Kinetis K60 微控制器IC，LQFP-100核心处理器：ARM® Cortex®-M4内核规格：32-位速度：120MHzI/O 数：66程序存储容量：1MB（1M x 8）程序存储器类型：闪存RAM 大小：256K x 8电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.71V ~ 3.6V数据转换器：A/D 32x16b; D/A 1x12b振荡器类型：内部工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装：100-LQFP（14x14）
封装/外壳：100-LQFP