长江存储谋划进军DRAM市场 携手长鑫存储攻关HBM技术难题

中国存储芯片龙头企业长江存储正积极筹备进入DRAM内存领域，并计划与国内同行长鑫存储展开深度合作，共同攻克高带宽内存（HBM）技术难关。这一战略布局标志着长江存储在巩固NAND闪存市场地位的同时，进一步向更广阔的存储芯片市场扩展，有望打破国际巨头在内存领域的技术垄断。

据业内人士透露，长江存储近期已组建专门团队研究DRAM相关技术，并评估进入该市场的可能性。虽然长江存储此前专注于3D NAND闪存研发与生产，并已成为全球少数掌握先进闪存技术的企业之一，但DRAM作为计算机、服务器和移动设备的核心内存组件，市场规模巨大且技术门槛极高。业内分析认为，长江存储若能成功切入DRAM领域，将为中国存储产业补上关键一环，进一步提升国产存储芯片的自给率。

与此同时，长江存储正寻求与国内另一大存储芯片制造商长鑫存储展开合作。长鑫存储作为中国大陆领先的DRAM生产商，已在1xnm和1ynm制程技术上取得突破，并逐步提升产能。行业内消息称，双方可能围绕HBM（高带宽内存）技术展开联合研发。HBM作为AI和高性能计算领域的关键组件，目前由SK海力士、三星电子和美光科技等国际厂商主导，其复杂的堆叠技术和制造工艺对后来者形成较高壁垒。长江存储与长鑫存储若能在HBM领域实现技术突破，将有助于中国存储产业在高端内存市场占据一席之地。

值得注意的是，全球DRAM市场长期以来由少数几家国际巨头掌控，技术迭代迅速且资本投入巨大。长江存储与长鑫存储的合作，不仅能够整合双方在存储芯片领域的技术积累和制造经验，还能形成协同效应，降低研发风险并提高成功率。此外，两家企业均得到国家政策支持，拥有较为稳定的资金和资源保障，这为攻克HBM等尖端技术提供了重要基础。

业内专家表示，长江存储若成功进入DRAM市场，将改变全球存储芯片产业格局，增强中国在全球半导体供应链中的话语权。同时，与长鑫存储在HBM技术上的合作，不仅能满足国内AI、数据中心和高端计算领域对高性能内存的需求，还能为国产芯片在高端市场争取更多机会。

目前，长江存储和长鑫存储均未就具体合作细节作出官方回应，但行业普遍关注两家企业在DRAM及HBM领域的下一步动作。在技术自主可控和全球半导体竞争加剧的背景下，中国存储产业的协同发展和技术突破，或将为全球市场带来新的变量。