ISL6617AFRZ相位倍增器/MSC025SMA120B4，MSC040SMA120B碳化硅晶体管

明佳达，星际金华供求 ISL6617AFRZ相位倍增器/MSC025SMA120B4，MSC040SMA120B碳化硅晶体管



ISL6617AFRZ 6mA PWM 倍增器，带输出监控功能

产品描述
ISL6617AFRZ 相位倍增器采用单 PWM 输入调制两相电源组的方案。它将 3.3V 多相控制器可支持的相数增加了一倍。
ISL6617AFRZ 设计用于最大限度地减少高相数可扩展应用中控制器与驱动器之间接口的模拟信号数量。

特性
专有的相位倍增器方案
提高了轻载到满载的效率
相数翻倍或翻两番
通过 DCR 电流检测和可调增益实现专利电流平衡
电流监控输出 (IOUT)，可简化系统接口和布局
用于模式选择的三电平使能输入
双 PWM 输出驱动，用于两个具有单 PWM 输入的同步整流桥
通道同步和两个交错选项
支持 3.3V PWM 输入
支持 5V PWM 输出
与 DCR 检测或智能功率级检测兼容
用于输出级关断的三态 PWM 输入和输出

应用
高电流、低电压 DC/DC 转换器
高频、高效 VRM 和 VRD
高相位数和移相应用
3.3V PWM 输入集成功率级或 DrMOS

N 沟道 1200 V 103A MSC025SMA120B4 MOSFET 碳化硅晶体管

产品描述
MSC025SMA120B4 器件是一款 1200 V、25 mΩ SiC MOSFET，采用 TO-247 4 引线封装，具有源极检测功能。

特点
低电容和低栅极电荷
低内部栅极电阻 (ESR) 带来快速开关速度

MSC040SMA120B 碳化硅功率 MOSFET 晶体管

产品描述
MSC040SMA120B 器件是一款采用 TO-247 封装的 1200 V、40 mΩ 碳化硅 MOSFET。

优点
效率高，可实现更轻、更紧凑的系统
驱动简单，易于并联