（APM永源微）AP30N15D 150V 30A N沟道增强型MOSFET、封装TO-252-3L

概述：
AP30N15D采用先进的沟槽技术，可提供出色的R-D（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压。该装置适用于电池保护或其他开关应用。



一般特性
- V-DS=150V，I-D=30A
- V-GS=10V时，R-DS（开启）<52mΩ




数据手册







应用领域：【不间断电源】【电池保护】【负载开关】




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