三星和SK海力士竞争升级 争夺下一代AI半导体市场主导权

来源：EXPreview

在进入人工智能（AI）时代后，两大存储器生产厂商三星和SK海力士的竞争不断升级。双方都在努力通过加快新产品的开发和批量生产，以抢夺市场先机，争夺下一代人工智能半导体市场的主导权。随着英特尔的加入，全球半导体战线正在扩大。

据Business Korea报道，近期三星和SK海力士都公布了下一代半导体计划，问题的关键是：谁能首先将新产品推向市场？要知道SK海力士因为在HBM3上抢得先手，去年几乎垄断了英伟达HBM3订单，在存储器市场低迷时期以最快的速度扭转了颓势。

今年1月，SK海力士开始量产第五代HBM产品，也就是8层堆叠的HBM3E，使其在竞争中处于优势位置。三星则计划今年上半年，带来8层堆叠的HBM3E。不过三星在12层堆叠的HBM3E上扳回一城，于今年2月率先宣布开发成功，暂时处于领先位置，并计划今年晚些时候量产，并开始向英伟达供货。反观SK海力士，目前其12层堆叠的HBM3E刚刚向英伟达交付样品，比起三星稍微落后了一些。

至于第六代HBM产品，即HBM4，三星和SK海力士的竞争就更激烈了。三星的HBM4计划明年亮相，2026年开始进入批量生产，将提供8/12/16层堆叠的产品。SK海力士同样计划在2026年实现HBM4的批量生产，为此还与台积电（TSMC）展开合作，利用全球第一晶圆代工厂的先进技术。当然，三星也有自己的优势，是唯一拥有完整生产、代工、封装流程的半导体企业，具备为客户提供可定制化HBM解决方案的能力。

三星和SK海力士的竞争还扩展到了DRAM领域，前者近期推出了速率为10.7 Gbps的LPDDR5X，超过了SK海力士去年速率为9.6 Gbps的LPDDR5T。三星还计划今年底量产第六代10nm级别的DRAM，明年生产第七代10nm级别的DRAM。SK海力士则计划在今年第三季度量产第六代10nm级别的DRAM，比三星要更早一些。去年SK海力士凭借更先进的工艺，以及更早取得英特尔新平台的验证，通过新款DDR5内存获得不少收益。

此外，随着人工智能应用的扩大，在存储器上加入计算功能也是未来的发展方向之一，此前三星和SK海力士都已展示过相关的产品。