SI2319CDS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
2023年11月24日 16:16 发布者：VBsemi
SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：SI2319CDS-T1-GE3适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。
其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。
优势与适用领域：具有低导通电阻，适用于要求低功率损耗和高效率的领域，如电源开关、稳压和逆变器等模块。