SI2305ADS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
2023年11月23日 17:26 发布者：VBsemi
SI2305ADS-T1-GE3 (VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。应用简介：SI2305ADS-T1-GE3是一款中功率P沟道MOSFET，适用于功率开关、逆变器和电源管理等应用。
其能够处理适中的功率需求。
优势与适用领域：具有适中的功率承载能力，适用于中功率应用场景，如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。