东芝推出适用于半导体测试设备中高频信号开关的小型光继电器

—降低插入损耗，改善高频信号传输特性—

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出采用小巧纤薄的WSON4封装的光继电器“TLP3475W”。它可以降低高频信号中的插入损耗，并抑制功率衰减，适用于使用大量继电器且需要实现高速信号传输的半导体测试设备的引脚电子器件。该产品于近日开始支持批量出货。



TLP3475W采用了东芝经过优化的封装设计，这有助于降低新型光继电器的寄生电容和电感。降低插入损耗的同时还可将高频信号的传输特性提高到20GHz（典型值）——与东芝现有产品TLP3475S相比，插入损耗降低了约1/3。

TLP3475W采用厚度仅为0.8mm（典型值）的小巧纤薄的WSON4封装，是目前业界最小的光继电器，其成功的改善了高频信号传输特性。它的厚度比东芝的超小型S-VSON4T封装还薄40%，且支持在同一电路板上贴装更多产品，将有助于提高测量效率。

东芝将继续扩大其产品线，为更高速和更强大功能的半导体测试设备提供支持。

S21插入损耗特性

        应用：
-        半导体测试设备（高速存储器测试设备、高速逻辑测试设备等）
-        探测卡
-        测量设备

        特性：
-        业界最小的WSON4封装：1.45mm×2.0mm（典型值），厚度＝0.8mm（典型值）
-        改善高频信号的传输：当插入损耗（S21）＝–3dB时，f＝20GHz（典型值）
-        常开功能（1-Form-A）

        主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）

        器件型号  TLP3475W
  封装  名称  WSON4
  尺寸（mm）  1.45Í2.0（典型值），厚度＝0.8（典型值）
  绝对最大额定值  断态输出端电压VOFF（V）  60
  导通电流ION（A）  0.4
  导通电流（脉冲）IONP（A）  1.2
  工作温度Topr（℃）  –40至110
  耦合电气特性  触发LED电流IFT（mA）  最大值  3
  导通电阻RON（Ω）  典型值  1.1
  最大值  1.5
  电气特性  输出电容COFF（pF）  最大值  20
  开关特性  导通时间tON（ms）  @RL＝200Ω、  最大值  0.25
  VDD＝20V、
  关断时间tOFF（ms）  IF＝5mA  0.2
  隔离特性  隔离电压BVS（Vrms）  最小值  300
  库存查询与购买  在线购买
注：
当频段范围在几百兆赫兹至上万兆赫兹时。
信号通过输出MOSFET时功率衰减比（插入损耗）为–3dB的频段。
适用于光继电器。截至2023年10月的东芝调查。

如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：
TLP3475W
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/isolators-solid-state-relays/photorelay-mosfet-output/detail.TLP3475W.html

如需了解相关东芝光继电器的更多信息，请访问以下网址：
光继电器（MOSFET输出）
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/isolators-solid-state-relays/photorelay-mosfet-output.html

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TLP3475W
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