（供求IGBT）2500V IXBK64N250和IXGA20N250HV、1200V IXYN140N120A4模块

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1、IXBK64N250  2500V 高压反向导通 (BiMOSFET™) IGBT将MOSFET和IGBT的优势相结合。该高压器件的饱和电压和内置二极管的正向电压降均具有正电压温度系数，因此非常适合用于并联运行。

IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：2500 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，64A
功率 - 最大值：735 W
输入类型：标准
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：TO-264AA
基本产品编号：IXBK64



2、IXGA20N250HV高压IGBT（绝缘栅极双极晶体管）具有方形反向偏置安全工作区 (RBSOA) 和10μs短路耐受能力。IXGA20N250HV具有2500V集电极-发射极电压、12A集电极电流（+110°C时）以及3.1V集电极-发射极饱和电压。该器件具有VCE(sat)的正温度系数，非常适合用于并联。

IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：2500 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：105 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.1V @ 15V，20A
功率 - 最大值：150 W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：53 nC
25°C 时 Td（开/关）值：-
测试条件：-
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263HV
基本产品编号：IXGA20




3、IXYN140N120A4沟槽型1200V XPT™ GenX4™ IGBT采用专有的XPT薄晶圆技术和最先进的第四代 (GenX4™) 沟槽型IGBT工艺研发而成。该IGBT具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性，器件在开关和短路条件下具有出色的耐用性。
IGBT 类型：PT
配置：单路
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：380 A
功率 - 最大值：1070 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，140A
电流 - 集电极截止（最大值）：25 μA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)：8.3 nF @ 25 V
输入：标准
NTC 热敏电阻：无
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227B
基本产品编号：IXYN140