东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。



通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%，漏源导通电阻×栅漏电荷（MOSFET性能的品质因数）降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低，并最终实现了开关电源效率的提高。

该新产品采用TOLL封装，栅极驱动采用开尔文连接。可以通过降低封装中源极线电感的影响，增强MOSFET的高速开关性能，从而抑制开关过程中的振荡。

未来，东芝将继续扩展600V DTMOSVI系列产品线，以及已发布的650V DTMOSVI系列产品，并通过降低开关电源的功率损耗来达到节约节能的目的。


图1：漏极-源极导通电阻与栅漏电荷比较

        应用
-        数据中心（服务器开关电源等）
-        光伏发电机功率调节器
-        不间断电源系统

        特性
-        低漏源导通电阻×栅漏电荷，有助于提高开关电源的效率

        主要规格

（除非另有说明，Ta＝25℃）

        器件型号  TK055U60Z1
  绝对最大  漏极-源极电压VDSS（V）  600
  值  漏极电流（DC）ID（A）  40
  　  结温Tch（℃）  150
  电气特性  漏极-源极导通电阻  VGS＝10V  最大值  55
  RDS(ON)（mΩ）
  总栅极电荷Qg（nC）  典型值  65
  栅极-漏极电荷Qgd（nC）  典型值  15
  输入电容Ciss（pF）  典型值  3680
  封装  名称  TOLL
  尺寸（mm）  典型值  9.9×11.68
  厚度＝2.3
  库存查询与购买  在线购买
注：
截至2023年6月


如需了解有关该新产品的更多信息，请访问以下网址：
TK055U60Z1
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK055U60Z1.html

如需了解东芝MOSFET产品的更多信息，请访问以下网址：
MOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html

如需了解有关该新产品在线分销商网站的供货情况，请访问以下网址：
TK055U60Z1
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TK055U60Z1.html