氮化镓IC LMG3422R050RQZR/LMG3425R050RQZR 栅极驱动器

氮化镓IC LMG3422R050RQZR 半桥驱动器 通用MOSFET VQFN54

描述
LMG3422R050RQZR GaN FET集成了驱动器和保护功能，使设计人员能够在电力电子系统中实现新的功率密度和效率水平。高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。氮化镓场效应晶体管的温度通过一个可变占空比的PWM输出来报告，这简化了器件负载的管理。报告的故障包括过温、过流和UVLO监测。

应用
高密度工业电源
太阳能逆变器和工业电机驱动器
不间断电源
商业网络和服务器PSU
商用电信整流器

硅驱动器 LMG3425R050RQZR 栅极驱动器 带有集成驱动器的 GaN FET

描述
LMG3425R050RQZR集成了一个硅驱动器，使开关速度高达150V/ns。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与TI的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑结构中实现干净的开关和最小的振铃。可调节的栅极驱动强度允许控制20 V/ns至150 V/ns的回转率，这可用于主动控制EMI和优化开关性能。LMG3425R050包括理想二极管模式，通过实现自适应死区时间控制来减少第三象限损耗。

特点
符合JEDEC JEP180的硬开关拓扑结构要求
带有集成栅极驱动器的600-V硅基氮化镓场效应晶体管
集成高精度栅极偏置电压
200-V/ns CMTI
3.6MHz的开关频率
20-V/ns至150-V/ns的回转率，用于优化开关性能和降低EMI
在7.5-V至18-V电源下工作
强有力的保护
逐个周期的过电流和潜伏的短路保护，响应时间<100-ns
在硬开关时可承受720-V的电涌
内部过热的自我保护和UVLO监控
先进的电源管理
数字温度PWM输出
理想的二极管模式减少了LMG3425R050的第三象限损耗


明佳达，星际金华 供求 氮化镓IC LMG3422R050RQZR/LMG3425R050RQZR 栅极驱动器