东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。



锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量，以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，同时要求MOSFET小巧纤薄，且具有更低的导通电阻。

SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺，已经发布的SSM10N954L也采用该技术。凭借业界领先的低导通电阻特性实现了低功耗，而业界领先的低栅源漏电流特性又保证了低待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外，新产品还采用了一种新型的小巧纤薄的封装TCSPED-302701（2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）。

东芝将继续开发用于锂离子电池组供电设备中的保护电路的MOSFET产品。

        应用
-        家用电器采用锂离子电池组的消费类电子产品以及办公和个人设备，包括智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备、游戏控制器、电动牙刷、迷你数码相机、数码单反相机等。

        特性
-        业界领先的低导通电阻：RSS(ON)＝1.1mΩ（典型值）@VGS＝3.8V
-        业界领先的低栅源漏电流：IGSS＝±1μA（最大值）@VGS＝±8V
-        小型化超薄TCSPED-302701封装：2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）
-        共漏极结构，可方便地用于电池保护电路

        主要规格

（除非另有说明，Ta＝25℃）


        器件型号  SSM14N956L  SSM10N954L
  配置  N沟道共漏极
  绝对最大额定值  源极-源极电压VSSS（V）  12
  栅极-源极电压VGSS（V）  ±8
  源极电流（DC）IS（A）  20  13.5
  电气特性  栅源漏电流IGSS  @VGS＝±8V  　  ±1
    最大值（μA）
  源极-源极导通电阻RSS(ON)  @VGS＝4.5V  1  2.1
    典型值（mΩ）  @VGS＝3.8V  1.1  2.2
  　  @VGS＝3.1V  1.25  2.4
  　  @VGS＝2.5V  1.6  3.1
  封装  名称  TCSPED-302701  TCSPAC-153001
  尺寸典型值（mm）  2.74×3，  1.49×2.98，
  厚度＝0.085  厚度＝0.11
  库存查询与购买  在线购买  在线购买



截至2023年5月的东芝调查，与相同额定值的产品进行比较。
已发布产品。


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SSM14N956L
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SSM14N956L
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