碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。
2023年05月09日 14:19 发布者：Eways-SiC
SiCMOS管国产实现电压650V-1200V-1700V-3300V-6500V，电流5A-150A 。276209 通过IATF16949、ISO9001等质量体系和第三方AEC-Q101产品可靠性认证。碳化硅（SiC）现在作为一种成熟的技术，在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业，覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅（Si）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的应用具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度，可靠性和效率。
网友评论
Eways-SiC 2023年06月28日
6500V 的MOS 好
6500V 的MOS 好
Eways-SiC 2023年07月27日
碳化硅MOS耐压650V-3300V和SiC模块产品简介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取码x913
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Eways-SiC 2023年08月11日
具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率
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Eways-SiC 2023年09月05日
1700v 3300v SICMOS
1700v 3300v SICMOS
Eways-SiC 2023年10月07日
实现更高的功率密度，可靠性和效率。
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Eways-SiC 2023年11月02日
碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-841262-1-1.html
碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-841262-1-1.html
Eways-SiC 2023年12月02日
宽带隙、高临界击穿电场、高热导率 顶！
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Eways-SiC 2024年01月09日
碳化硅MOS晶圆:victory:
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Eways-SiC 2024年02月19日
碳化硅SiC MOSFETs功率管栅极驱动基础知识 - 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-825360-1-1.html
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Eways-SiC 2024年03月27日
碳化硅MOS管-SiC MODULE产品技术应用简介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取码g4yd
国产碳化硅MOS
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国产碳化硅MOS
具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等