Netsol半导体1Mb~16Mb非易失性Parallel STT-MRAM

2023年03月31日 16:56    发布者:英尚微电子
    NETSOL自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)。数据始终是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的耐久性特性,它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。

    Parallel STT-MRAM的容量范围从1Mbit到16Mbit。是一个具有并行异步接口的完全随机存取存储器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允许通过数据字节控制(LB、UB)进行低位和高位字节访问。

    它支持异步页面模式功能,以提高读写性能。x16 I/O模式和x8 I/O模式的页面大小分别为4个字和8个字。该设备提供工业(-40℃至85℃)工作温度范围。官方代理英尚微支持提供样品测试。

    核心特征
    容量:1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb,64Mb
    电源供应:1.8V(1.7V~1.95V)或3.3V(2.7V~3.6V)
    Parallel异步接口x16/x8I/O
    数据保存期:10年
    读取耐力:无限
    擦写耐力:1014
    无需外部ECC
    封装:48FBGA、44TSOP2、54TSOP2


Netsol 1Mb~16Mb非易失性Parallel STT-MRAM选型表:https://www.sramsun.com/list-831-1.html