CMS015G120T3PA 中微半导体 1200V/15A 功率器件IGBT

中微半导体与国内知名FAB合作开发的600V-1350V IGBT产品系列，广泛应用于电机和消费类领域。在正向和阻断状态下，我们的IGBT功率损耗极低，仅需低驱动功率便可发挥高效率。
中微半导体IGBT产品具备国际领先的单芯片集成RC技术，更大的安全工作区（SOA），更强的抗冲击能力，更足额的耐压余量，极低的开关损耗，1000H HTGB/HTRB可靠性测试。产品非常适合用于新能源汽车、白色家电、电磁炉、马达驱动、UPS、焊机等新能源应用。IGBT产品系列击穿电压有足够的冗余，各种参数一致性高，短路电流能力出色。



CMS015G120T3PA主要参数：集电极-发射极电压VCE:   1200V集电极电流： 15.A饱和压降VCE SAT:   1.7V二极管压降VF:   1.6V封装： TO-252产品特性：沟槽栅场截止工艺技术 、低饱和压降、10μs 短路能力、无铅引脚符合ROHS要求应用领域： 电磁炉、微波炉、软开关应用更多IGBT型号                              CMS007G060DP3A        TO-252      600V/7A               CMS007G060T63A         TO-263    600V/7A       CMS007G060T63B         TO-263      600V/7A    CMS020G060T47A         TO-247      600V/30ACMS030G060T47A         TO-247      600V/40A CMSG50N60CA               TO-247      600V/50ACMSG025R120CB           TO-247      1200V/25A CMS040G120T47A         TO-247        1200V/20ACMS015G135T47A         TO-247        1350V/20A CMS025G135T3PB         TO-3PN        1350V/25A