力科解答宽禁带功率半导体测试探头难题!
2022年12月12日 17:44 发布者:录余
以碳化硅与氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料,它们具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好等优点。第三代半导体材料可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及高辐射等恶劣条件的新要求,这类材料越来越受到欢迎,市场需求随之暴涨。近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。而如何在宽禁带功率半导体测试中选择正确的探头成为了一个难题。为了帮助第三代半导体、电力电子、大功率电源等研发/技术工程师及采购工程师在宽禁带功率半导体测试中选择正确的探头,哔哥哔特邀请力科中国技术经理李发存先生为各企业举办一场线上直播研讨会,直播会议主题为《解析宽禁带功率半导体测试中的探头选择难题》,时间为2022年12月15日上午 10:30-11:30。参与本次线上直播会议不仅可以学会如何选择正确的高压探头,了解“正确”探头和“错误”探头之间的区别,也是一次不可多得的与优秀企业进行交流的机会!报名正式开启!欢迎各企业扫描文末二维码报名!【演讲嘉宾】
图源半导体器件应用