场效应管NTMFS4C810NAT1G TRENCH 6 30V NCH

型号：NTMFS4C810NAT1G
产品种类：分立半导体产品 单 FET，MOSFET
一般规格
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.2A（Ta），46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.88 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:18.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:987 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:750mW（Ta），23.6W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳:8-PowerTDFN，5 引线
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