国产碳化硅MOS管（SiC MOS ) PFC 功率器件主开关管的选择
2022年11月11日 16:35 发布者：Eways-SiC
国产碳化硅MOS管（SiC MOS ) PFC 功率器件主开关管的选择 265496 国产碳化硅MOS管（SiCMOS )、PFC功率器件 主开关管的选择.。如传统的PFC拓扑、普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC等，并已成功大范围应用在设计过程中。碳化硅MOSFET相对于IGBT或超结MOSFET有更低的开关损耗。碳化硅MOSFET的体二极管虽然也存在反向恢复行为，但是其反向恢复电流相对IGBT或超结MOSFET要小很多。
网友评论
Eways-SiC 2022年11月24日
第三代半导体SiC
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Eways-SiC 2022年11月28日
第三代半导体SiC MOS
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Eways-SiC 2022年12月05日
第三代半导体SIC宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点
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Eways-SiC 2022年12月10日
SIC MOS宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点
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Eways-SiC 2023年01月05日
碳化硅MOS已经在3.3KW、6.6KW、11KW、22KW等规格的OBC的PFC和LLC大批量用
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Eways-SiC 2023年04月17日
PFC电路大量采用国产碳化硅MOS
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Eways-SiC 2023年06月01日
SiC MOS功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单
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Eways-SiC 2023年07月24日
通过IATF16949、ISO9001等质量体系和第三方AEC-Q101产品可靠性认证。
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Eways-SiC 2023年08月17日
1200V-1700V-3300V 都有
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Eways-SiC 2023年09月18日
SiC MOSFET(碳化硅MOS)栅极驱动以及栅极驱动器示例https://pan.baidu.com/s/1Q2xAZ-VtV8TqV9prNflA9g提取码bbbc
SiC MOSFET(碳化硅MOS)栅极驱动以及栅极驱动器示例https://pan.baidu.com/s/1Q2xAZ-VtV8TqV9prNflA9g提取码bbbc
Eways-SiC 2023年10月08日
https://www.eechina.com/thread-841262-1-1.html碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性
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Eways-SiC 2024年02月22日
SiC MOSFET碳化硅半导体栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例 - 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html
SiC MOSFET碳化硅半导体栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例 - 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html
碳化硅MOS已经在3.3KW、6.6KW、11KW、22KW等规格的OBC的PFC和LLC大批量使用。:victory: