LCMXO3LF-4300C-5BG324C,LCMXO2-2000HC-4FTG256C嵌入式FPGA(现场可编程门阵列)
2022年08月23日 11:56 发布者:xingjijinhua
LCMXO3LF-4300C-5BG324C:嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列)规格:
LAB/CLB 数:540
逻辑元件/单元数:4320
总 RAM 位数:94208
I/O 数:279
电压 - 供电:2.375V ~ 3.465V
安装类型:表面贴装型
工作温度:0°C ~ 85°C(TJ)
封装/外壳:324-LFBGA
供应商器件封装:324-CABGA(15x15)
基本产品编号:LCMXO3
特征:
【解决方案】
面向移动应用的最小尺寸、最低功率、高数据吞吐量的桥接解决方案
用于I/O管理和逻辑应用的优化尺寸、逻辑密度、I/O数量、I/O性能器件
高I/O逻辑、最低成本的I/O、高I/O设备,用于 I/O扩展应用
【灵活的结构】
逻辑密度范围从64到9.4k LUT4
高I/O与LUT之比,多达384个I/O引脚
【先进的封装】
0.4毫米间距:在非常小的WLCSP(2.5毫米×2.5毫米至3.8毫米×3.8毫米)中具有1千到4千的密度,有28到63个I/O
0.5毫米间距:640至9.4千LUT密度,采用6毫米×6毫米至10毫米×10毫米的BGA封装,最多可有281个I/O
0.8毫米间距:1千至9.4千密度,最多384个I/O BGA封装的I/O
【预先设计的源同步I/O】
I/O单元中的DDR寄存器
专用的传动逻辑
用于显示I/O的7:1齿轮
通用的DDR,DDRx2,DDRx4
【高性能、灵活的I/O缓冲器】
可编程的sysI/O™缓冲器支持广泛的接口。
LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
LVTTL
LVDS、总线LVDS、MLVDS、LVPECL
MIPI D-PHY仿真
施密特触发器输入,高达 0.5 V 迟滞
是I/O桥接应用的理想选择
I/O支持热插拔
片上差分终端
可编程的上拉或下拉模式
【灵活的片上时钟】
八个主时钟
用于高速I/O接口的最多两个边缘时钟(仅顶部和底部)。
每个器件最多有两个模拟PLL,具有分数n频率合成功能
广泛的输入频率范围(7 MHz至 400 MHz)。
【非易失性,多时间编程】
瞬间启动
在微秒内开机
可选择使用外部SPI存储器进行双启动
单芯片、安全的解决方案
可通过JTAG、SPI或I2C进行编程
MachXO3L包括多时间可编程的NVCM
MachXO3LF可重构闪存包括用于商业/工业器件的100,000次写入/擦除周期和用于汽车器件的10,000次写入/擦除周期
支持非易失性存储器的背景编程
【TransFR重新配置】
场内逻辑更新,同时I/O保持系统状态 状态
【增强的系统级支持】
片上硬化功能。SPI、I2C、定时器/计数器
用于商业/工业设备的5.5%精度的片上振荡器
用于系统跟踪的独特TraceID
单电源,工作范围扩大
IEEE标准1149.1边界扫描
符合IEEE 1532的系统内编程
【低成本迁移路径】
从基于闪存的MachXO3LF迁移到基于NVCM的MachXO3L
引脚兼容和等效定时
应用:
消费电子
计算和存储
无线通信
工业控制系统
汽车系统
LCMXO2-2000HC-4FTG256C:嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列)
描述:
LCMXO2-2000HC-4FTG256C的超低功耗、瞬时启动、非易失性PLD有六个器件,其密度范围从 256到6864个查找表(LUT)。除了基于LUT的低成本可编程逻辑,这些器件还具有以下特点 嵌入式块状RAM(EBR)、分布式RAM、用户闪存(UFM)、锁相环(PLL)、预先设计的源同步I/O支持、高级配置支持,包括双启动能力和 常用功能的加固版本,如SPI控制器、I2 C控制器和定时器/计数器。这些功能使这些器件可用于低成本、高容量的消费和系统应用。
属性:
LAB/CLB 数:264
逻辑元件/单元数:2112
总 RAM 位数:75776
I/O 数:206
电压 - 供电:2.375V ~ 3.465V
安装类型:表面贴装型
工作温度:0°C ~ 85°C(TJ)
封装/外壳:256-LBGA
供应商器件封装:256-FTBGA(17x17)
基本产品编号:LCMXO2-2000
特征:
1,灵活的逻辑架构:
六个器件具有256至6864个LUT4和18至334个I/O。
2,超低功率器件:
先进的65纳米低功率工艺
低至22微瓦的待机功率
可编程的低摆幅差分I/O
待机模式和其他省电选项
3,嵌入式和分布式存储器: 嵌入式和分布式存储器
高达240kbits的sysMEM™嵌入式块状RAM
高达54kbits的分布式RAM
专用的FIFO控制逻辑
4,片上用户Flash存储器:
高达256kbits的用户闪存
100,000次写入周期
可通过WISHBONE、SPI、I2C和JTAG接口访问
可作为软处理器PROM或Flash存储器使用
5,预先设计的源同步I/O
I/O单元中的DDR寄存器
专用的齿轮逻辑
用于显示I/O的7:1齿轮化
通用的DDR、DDRX2、DDRX4
专用的DDR/DDR2/LPDDR内存,支持DQS
6,高性能、灵活的I/O缓冲器
可编程的sysIO™缓冲器支持广泛的接口范围
I/O支持热插拔
片上差分终端
可编程的上拉或下拉模式
7,灵活的片上时钟:
八个主时钟
多达两个边缘时钟,用于高速I/O和接口(仅顶部和底部)。
每个器件最多有两个模拟PLL,具有小数点频率合成功能
广泛的输入频率范围(7 MHz至400 MHz)。
8,非易失性,可无限重构。
瞬间启动--在微秒内开机
单芯片、安全的解决方案
可通过JTAG、SPI或I2C进行编程
支持非易失性存储器的后台编程
9,TransFR™重新配置:
在系统运行时进行场内逻辑更新
10,增强的系统级支持:
片上硬化功能。SPI,I2C,定时器/计数器
准确度为5.5%的片上振荡器
独特的TraceID用于系统跟踪
一次性可编程(OTP)模式
单电源,工作范围扩大
IEEE标准1149.1边界扫描
符合IEEE 1532标准的系统内编程
11,广泛的封装选择:
TQFP, WLCSP, ucBGA, csBGA, caBGA, ftBGA, fpBGA, QFN封装选项
小尺寸封装选项:小至2.5 mm x 2.5 mm
支持密度迁移
先进的无卤素封装
星际金华,明佳达 供求 LCMXO3LF-4300C-5BG324C,LCMXO2-2000HC-4FTG256C嵌入式FPGA(现场可编程门阵列)