DN3525N8-G（MOS场效应管）250V 6Ohm，STM32F407VGT6TR（高达1MB的闪存）微控制器

DN3525N8-G（MOS场效应管）250V 6Ohm，STM32F407VGT6TR（高达1MB的闪存）微控制器


DN3525N8-G：MOS场效应管，MOSFET 250V 6Ohm。
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：360mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6 欧姆 @ 200mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） -
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：350 pF @ 25 V
FET 功能：耗尽模式
功率耗散（最大值）：1.6W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TO-243AA（SOT-89）
封装/外壳：TO-243AA


STM32F407VGT6TR -- 微控制器 IC 32 位单核 168MHz 1MB（1M x 8） 闪存 100-LQFP（14x14）
内核规格：32 位单核
速度：168MHz
I/O 数：82
程序存储容量：1MB（1M x 8）
程序存储器类型：闪存
RAM 大小：192K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.8V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 16x12b；D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：100-LQFP
供应商器件封装：100-LQFP（14x14）


供求 DN3525N8-G（MOS场效应管）250V 6Ohm，STM32F407VGT6TR（高达1MB的闪存）微控制器。
明佳达电子/星际金华 供应和回收芯片：DN3525N8-G，STM32F407VGT6TR。
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