（Ruichips锐骏）RUH1H80M、100V/80A N沟道功率MOSFET

锐骏半导体RUH1H80M是一款N沟道功率MOSFET，漏源电压为100V，持续漏极电流为80A（Tc=25℃，VGS=10V），具有低导通电阻、100%雪崩测试和开关速度快等特性，可应用于LED背光、服务器的板载电源和同步整流等。



特性：> 100V/80A>  RDS（ON）=6mΩ（典型值）@VGS=10V>  RDS（ON）=9mΩ（典型值）@VGS=4.5V>  超低导通电阻>  开关速度快>  100%雪崩测试>  提供无铅绿色器件（符合RoHS标准）
应用：LED背光服务器的板载电源同步整流…………………………………………………
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