25/30V双芯片不对称功率MOSFET SiZ300DT和SiZ910DT（Vishay）
2011年11月14日 10:14 发布者：eechina
Vishay推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT，以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项，使Vishay成为3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。采用PowerPAIR 3 x 3封装的30V SiZ300DT和采用PowerPAIR 6 x 5封装的SiZ910DT提供了新的占位面积选项，扩充了该系列产品。SiZ300DT定位在需要处理10A和以下电流的DC/DC应用，SiZ910DT适用于20A以上的应用。PowerPAIR 3 x 3的面积大约是PowerPAIR 6 x 5的1/3。
采用PowerPAIR 6 x 3.7封装的三款新器件是业内首批产品，再加上此前推出的SiZ710DT，使这种尺寸规格器件的电压范围从20V扩展到30V。新的SiZ728DT是首款25V PowerPAIR 6 x 3.7器件，SiZ790DT是采用这种尺寸规格并提供一个板上肖特基二极管的首款器件。SiZ730DT是首个具有最低RDS(on)的30V PowerPAIR 6 x 3.7器件。
下表提供了所有五款新器件及SiZ710DT的详细性能规格。有关Vishay的PowerPAIR® MOSFET完整产品组合的信息，请访问http://www.vishay.com/mosfets/powerpair-package/。
器件编号
Ch
VDS (V)
VGS (V)
RDS(on) at
VGS =
Qg at VGS =
ID at TA =
10 V
(W)
4.5 V
(W)
10 V
(nC)
4.5 V
(nC)
25 °C
(A)
70 °C
(A)
不对称双芯片N沟道
PowerPAIR 3 x 3
SiZ300DT
1
30
20
0.024
0.032
7.4
3.5
9.8
7.8
2
30
20
0.011
0.0165
14.2
6.8
14.9
11.9
PowerPAIR 6 x 3.7
SiZ710DT
1
20
20
0.0068
0.009
11.5
6.9
16
15
2
20
20
0.0033
0.0043
38
18.2
30
24
SiZ728DT
1
25
20
0.0077
0.011
17
8.1
16
14.2
2
25
20
0.0035
0.0048
42.5
20.5
28.8
23
SiZ730DT
1
30
20
0.0093
0.013
15.6
7.7
12.9
10.3
2
30
20
0.0039
0.0053
43
21.2
26.4
21.1
PowerPAIR 6 x 5
SiZ910DT
1
30
20
0.0058
0.0075
26
12.5
22
17
2
30
20
0.0030
0.0035
60
29
32
26
不对称双芯片N沟道外加集成的肖特基二极管
PowerPAIR 6 x 3.7
SiZ790DT
1
30
20
0.0093
0.013
15.6
7.7
12.9
10.3
2
30
20
0.0047
0.0059
36
17
23.4
18.7
Vishay Siliconix PowerPAIR 家族中的各款器件将两个MOSFET以最优的方式组合在单片封装内，帮助简化高效同步降压单相和多相DC/DC转换器的设计。通过增大低边MOSFET的尺寸以实现更低的传导损耗，器件的不对称配置有效提高了性能表现。Vishay充分发挥TrenchFET Gen III技术和PowerPAIR的不对称特点，将低边MOSFET的最大导通电阻降至3mΩ，比同档的不对称器件降低了几乎50%。
PowerPAIR器件为设计者提供了两个封装在一起的MOSFET，能够简化PCB布线并减少寄生电感，从而帮助降低开关损耗并提高效率。
新的PowerPAIR器件将在各种电子产品中更有效地使用能源和空间，这些产品包括笔记本电脑和桌面电脑、服务器、游戏机、机顶盒、电视机和调制解调器。
新款PowerPAIR器件现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。