东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品，它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。



这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅（Si）IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求，例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。

        应用：
-        用于轨道车辆的逆变器和转换器
-        可再生能源发电系统
-        电机控制设备
-        高频DC-DC转换器

        特性：
-        安装方式兼容Si IGBT模块
-        损耗低于Si IGBT模块
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense＝0.9V（典型值）@ID＝600A，Tch＝25℃
Eon＝25mJ（典型值），Eoff＝28mJ（典型值）@VDS＝600V，ID＝600A，Tch＝150℃
MG400V2YMS3
VDS(on)sense＝0.8V（典型值）@ID＝400A，Tch＝25℃
Eon＝28mJ（典型值），Eoff＝27mJ（典型值）@VDS＝900V，ID＝400A，Tch＝150℃
-        内置NTC热敏电阻

        主要规格：
（除非另有说明，@Tc＝25℃）

       器件型号  MG600Q2YMS3  MG400V2YMS3
  封装  2-153A1A
  绝对最大额定值  漏极-源极电压VDSS（V）  1200  1700
  栅极-源极电压VGSS（V）  -2.5  -2.5
  漏极电流（直流）ID（A）  600  400
  漏极电流（脉冲）IDP（A）  1200  800
  结温Tch（℃）  150  150
  隔离电压Visol（Vrms）  4000  4000
  电气特性  漏极-源极导通电压（感应）  @VGS＝+20V，  0.9  0.8
  VDS(on)sense典型值（V）  Tch＝25℃  @ID＝600A  @ID＝400A
  源极-漏极导通电压（感应）  @VGS＝+20V，  0.8  0.8
  VSD(on)sense典型值（V）  Tch＝25℃  @IS＝600A  @IS＝400A
  源极-漏极关断电压（感应）  @VGS＝-6V，  1.6  1.6
  VSD(off)sense典型值（V）  Tch＝25℃  @IS＝600A  @IS＝400A
  开通损耗  @Tch＝150℃  25  28
  Eon典型值（mJ）  @VDS＝600V，  @VDS＝900V，
  　  ID＝600A  ID＝400A
  关断损耗  @Tch＝150℃  28  27
  Eoff典型值（mJ）  @VDS＝600V，  @VDS＝900V，
  　  ID＝600A  ID＝400A
  热敏电阻特性  额定NTC电阻 R典型值（kΩ）  5  5
  NTC B值 B典型值（K）  @TNTC＝25℃-150℃  3375  3375


如需了解相关新产品的更多信息，请访问以下网址：
MG600Q2YMS3
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/intelligent-power-ics/detail.MG600Q2YMS3.html

MG400V2YMS3
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/intelligent-power-ics/detail.MG400V2YMS3.html

如需了解东芝碳化硅功率器件的更多信息，请访问以下网址：
碳化硅功率器件
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html