单片机外扩SRAM芯片EMI504HL08WM-55I可兼容IS61WV25616EDBLL-8BLI
2021年05月11日 15:10 发布者：英尚微电子
32位单片机在使用的过程中如果出现内置RAM不足的情况下，一般可以选择外置RAM作为缓存的扩充，在实际的应用设计，由于内置RAM不够用而需要外扩SRAM器件的，可以考虑外扩SRAM器件，以下是外扩SRAM存储器可兼容IS61WV25616EDBLL-8BLI的参考：英尚微推荐一款国产SRAM芯片EMI504HL08WM-55I，由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持工业温度范围和芯片级封装，以使用户灵活地进行系统设计。该系列还支持低数据保持电压，以低数据保持电流实现电池备份操作。 位宽512Kx8位，其电源电压范围为4.5V〜5.5V，低数据保持电压：1.5V（最小值），支持三态输出，封装采用标准的32sTSOP1。
EMI是一家专注存储SRAM/PSRAM芯片、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售的无晶圆半导体公司。为行业客户提供高品质、低成本，供货持续稳定的自主知识产权的集成电路产品，产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。EMI代理英尚微支持产品应用解决方案及技术支持。
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英尚微电子 2021年05月11日
英尚微推荐一款国产SRAM芯片EMI504HL08WM-55I，由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持工业温度范围和芯片级封装，以使用户灵活地进行系统设计。该系列还支持低数据保持电压，以低数据保持电流实现电池备份操作。 位宽512Kx8位，其电源电压范围为4.5V〜5.5V，低数据保持电压：1.5V（最小值），支持三态输出，封装采用标准的32sTSOP1
英尚微推荐一款国产SRAM芯片EMI504HL08WM-55I，由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持工业温度范围和芯片级封装，以使用户灵活地进行系统设计。该系列还支持低数据保持电压，以低数据保持电流实现电池备份操作。 位宽512Kx8位，其电源电压范围为4.5V〜5.5V，低数据保持电压：1.5V（最小值），支持三态输出，封装采用标准的32sTSOP1
EMI是一家专注存储SRAM/PSRAM芯片、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售的无晶圆半导体公司。为行业客户提供高品质、低成本，供货持续稳定的自主知识产权的集成电路产品，产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。EMI代理英尚微支持产品应用解决方案及技术支持。