安泰电子功率放大器在非导体接触式μLED器件光电特性研究中的应用

实验名称:非导体接触式μLED器件的光电特性研究    研究方向：交流LED驱动、半导体器件      实验内容:依据非导体接触式μLED模型，制备出相应的器件。其次是针对这种新型结构的μLED，研究其在交流信号驱动下的频率-电压、电流-电压，发光强度等光电特性。      GaN基微发光二极管(μLEDs)在超高分辨率显示、微显示、可见光通信、固态照明等方面有突出的优势。传统μLED工作机制是：施加正向电压时，空穴电子分别从p区n区注入到多量子阱中辐射复合发光。在正向偏压下，从外部电极注入连续的电子和空穴，导致连续的电致发光。测试目的：建立一种非导体接触式μLED模型并揭示其工作机理，为改善μLED器件结构、优化工作模式提供理论指导。测试设备:非导体接触式μLED器件、信号发生器、功率放大器、光功率计、雪崩光电探测器、示波器放大器型号:ATA-122D功率放大器实验过程：      通过信号发生器产生不同频率的电压信号通过功率放大器进行放大输出，并将其施加在非导体接触式μLED器件上，采用示波器检测其电学特性，光功率计、雪崩光电探测器测试其电致发光特性。
https://www.aigtek.com/UserFiles/Article/image/6374147682186462606791727.jpg     https://www.aigtek.com/UserFiles/Article/image/6374146933525753228017064.png https://www.aigtek.com/UserFiles/Article/image/6374146937435099015274160.png    https://www.aigtek.com/UserFiles/Article/image/6374146942608504876634998.png 测试结果：     1.在交流电场的驱动下，实现了在无外部电荷注入的情况下“无线”点亮μLED。https://www.aigtek.com/UserFiles/Article/image/6374146961444336202222796.pnghttps://www.aigtek.com/UserFiles/Article/image/6374146962374016242116110.png
    2.提出了一种与载流子在交变电场作用下周期性振荡相关的NEC&NCI模式的工作模型，并通过采用“载流子泵”实现高光功率密度，进一步实验验证了该模型。

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       3.简要讨论了“电容器内器件”的自我保护机制，即该结构μLED器件可以在高压驱动下正常工作，防止电击穿。 https://www.aigtek.com/UserFiles/Article/image/6374147010514365148243333.pnghttps://www.aigtek.com/UserFiles/Article/image/6374147013058100223339614.png
放大器在该实验中发挥的效能:该设备是本实验中的核心设备，提供驱动信号的调节功能      选择该功率放大器的原因:设备性能高，参数满足要求（差分输出，电压幅度较高、频率范围较大）