三星电子奋力赶超台积电 计划2022年量产3纳米芯片

2020年11月20日 10:14
来源:中国半导体论坛

  11月19日消息,据国外媒体报道,三星电子正在奋力赶超台积电,计划在2022年量产3纳米芯片。

  三星电子高管Park Jae-hong最近在一次活动中表示,公司已定下目标,在2022年量产3纳米芯片。该高管透露,三星电子已在与主要合作方开发初步设计工具。

  三星电子向其下一代芯片业务投入1160亿美元,其中包括为外部客户制造芯片。

  三星电子领导人李在镕此前曾透露,该公司计划采用正在开发的最新3纳米全栅极(gate-all-around,简称GAA)工艺技术来制造尖端芯片,并提供给全球客户。

  三星电子已开始大规模量产5nm芯片,并且正在研发4nm工艺。

  在芯片代工业务领域,三星电子目前位列第二。排名第一的是台积电,去年市场占有率达52%。

  关于台积电和三星电子之间的竞争,台积电创始人张忠谋曾表示,三星电子是很厉害的对手,目前台积电暂时占优势,但台积电跟三星的战争绝对还没结束,台积电还没有赢。