坚固、紧凑的车用 MOSFET（IR）

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出坚固耐用的车用 MOSFET系列，适合多种内燃机 (ICE) 和混合动力车平台应用。

新系列 MOSFET 器件采用 IR 经过验证的平面技术和 SO-8 封装，内含单双 N/P 沟道器件，除了集成在单一封装上的N/P沟道器件，还提供坚固、紧凑的系统解决方案，以驱动汽车应用中的多个输出或半桥电路。



IR 的车用 MOSFET 都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。

新器件符合 AEC-Q101 标准，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品规格
    器件编号
      封装
      栅级驱动
      V(BR)DSS (V)      10VGS时的最大导通电阻(mΩ)
      TC 为 25°C时的ID
最大值 (A)
      10VGS 时的QG 典型值(nC)
       单 N 沟道器件
       AUIRF7805Q      SO-8      逻辑
      30      11      13      22       双 N 沟道器件
       AUIRF7303Q      SO-8      逻辑
      30      50      4.9      25       AUIRF7103Q      SO-8      逻辑
      50      130      3.0      10       AUIRF7341Q      SO-8      逻辑
      55      50      5.1      29     
  单 P 沟道器件
       AUIRF7207Q      SO-8      逻辑
      -20      60      -5.4      15       AUIRF7416Q      SO-8      逻辑
      -30      20      -10      61       双 P 沟道器件
       AUIRF7304Q      SO-8      逻辑
      -20      90      -4.3      22       AUIRF7316Q      SO-8      逻辑
      -30      58      -4.9      23       AUIRF7342Q      SO-8      逻辑
      -55      105      -3.4      26       N 和  P 沟道配对的  MOSFET*       AUIRF7319Q      SO-8      逻辑
      30      29      6.5      22       AUIRF7379Q      SO-8      逻辑
      30      45      5.8      25       AUIRF7309Q      SO-8      逻辑
      30      50      4.0      25       AUIRF9952Q      SO-8      逻辑
      30      80      3.5      6.9       AUIRF7343Q      SO-8      逻辑
      55      95      4.7      24   *器件包含 N 和 P 沟道 MOSFET，所列参数是 N 沟道器件的参数，有关 P 沟道开关的参数，可以参考参数数据表。

有关产品现已接受批量订单。相关数据和认证标准可浏览 IR 网页 www.irf.com 。IR 还提供 Spice 模型供索取。