什么是STT-MRAM？

随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力.

什么是STT-MRAM？

嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（PCM），电阻RAM（ReRAM）和铁电RAM（FRAM）。每种新兴的内存技术都不同，适合特定的应用，但STT-MRAM似乎已成为主流。

STT-MRAM是一种电阻存储技术，其中材料中电子的磁性自旋变化会产生可测量的电阻率变化。从概念上讲，每个单元由两个磁体组成：一个是固定的，另一个是可以翻转的。当磁体彼此平行时，电阻低。当第二个磁铁反转方向时，电阻很高。

由于磁性隧道结（MTJ）器件能够通过仅三个额外的掩膜嵌入芯片的线路后端（BEOL）互连层，因此STT-MRAM技术享有低功耗和低成本的优势。在商业代工厂中，STT-MRAM的支持正在加速发展，GlobalFoundries，英特尔，三星，台积电和联电都已公开宣布为28nm / 22nm技术的SoC设计人员提供产品。

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系统设计师正在将STT-MRAM技术用于低功耗MCU设计（例如IoT穿戴式设备），这些设计可以从较小的芯片尺寸中受益。STT-MRAM通常会为这些早期采用者取代嵌入式闪存。对于自动驾驶雷达SoC，STT-MRAM的数据保留和密度是显着的优势。在不久的将来，STT-MRAM将用于最终应用（例如超大规模计算，内存计算，人工智能和机器学习）中替代SRAM。

Everspin Technologies，Inc是设计制造和商业销售MRAM和STT-MRAM的全球领导者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin MRAM在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品。everspin代理宇芯电子可提供技术支持及产品应用解决方案等产品一体系服务。

Everspin STT-MRAM

型号容量位宽电压速度封装温度
EMD4E001G08G1-150CAS11Gb128Mb x8--667MHzCommercial78-BGA
EMD4E001G08G1-150CAS11Gb128Mb x8--667MHzCommercial78-BGA
EMD4E001G16G2-150CAS11Gb64Mb x16--667MHzCommercial96-BGA
EMD4E001G16G2-150CAS1R1Gb64Mb x16--667MHzCommercial96-BGA
EMD3D256M16G2-150CBS1256Mb16Mb x 161.5v +/- 0.075v13330-85BGA
EMD3D256M08G1-150CBS1256Mb32Mb x 81.5v +/- 0.075v13330-85BGA
EMD3D256M16G2-187CBS2T256Mb16Mb x 161.5v +/- 0.075v1066BGA0-85
EMD3D256M16G2-187CBS2R256Mb16Mb x 161.5v +/- 0.075v1066BGA0-85
EMD3D256M16G2-150CBS2T256Mb16Mb x 161.5v +/- 0.075v1333BGA0-85
EMD3D256M16G2-150CBS2R256Mb16Mb x 161.5v +/- 0.075v1333BGA0-85
EMD3D256M08G1-187CBS2T256Mb32Mb x 81.5v +/- 0.075v1066BGA0-85
EMD3D256M08G1-187CBS2R256Mb32Mb x 81.5v +/- 0.075v1066BGA0-85
EMD3D256M08G1-150CBS2T256Mb32Mb x 81.5v +/- 0.075v1333BGA0-85
EMD3D256M08G1-150CBS2R256Mb32Mb x 81.5v +/- 0.075v1333BGA0-85
EMD3D256M16G2-150CBS1T256Mb16Mb x 161.5v +/- 0.075v1333BGA0-85
EMD3D256M16G2-150CBS1R256Mb16Mb x 161.5v +/- 0.075v1333BGA0-85
EMD3D256M08G1-150CBS1T256Mb32Mb x 81.5v +/- 0.075v1333BGA0-85
EMD3D256M08G1-150CBS1R256Mb32Mb x 81.5v +/- 0.075v1333BGA0-85