Everspin AEC认证的汽车应用MRAM

2020年07月17日 15:57    发布者:英尚微电子
MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车,工业,军事和太空应用。Everspin总代理英尚微电子提供技术支持产品解决方案。

下面介绍Everspin AEC认证的汽车应用MRAM

MRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本

https://www.sramsun.com/uploadfile/2020/0716/20200716095125990.jpg

•以全总线速度保存数据
•意外断电后立即恢复状态
•提供AEC Q-100合格的1级(-40 / 125°C)和3级(-40 / 85°C)
保护有价值的数据并降低成本MRAM内存是保留宝贵的车辆数据,简化设计并降低BOM成本的最佳解决方案。

https://www.sramsun.com/uploadfile/2020/0716/20200716095155603.jpg

保护宝贵数据的最佳解决方案
•不需要额外的内存用于磨损均衡
•消除了昂贵的电容器
•不再需要功率损耗检测电路
•简化系统固件,始终保持非易失性

https://www.sramsun.com/uploadfile/2020/0716/20200716095223888.jpg

简化并降低BOM成本
•无限的耐用性,可安全保存程序代码
•快速写入-以系统总线速度工作的内存
•非易失性,数据保持温度> 20年
•不需要电容器,电池或缓冲液

最大化控制系统的数据访问
MRAM在保持非易失性的同时最大化数据收集率

https://www.sramsun.com/uploadfile/2020/0716/20200716095258628.jpg

由于较长的读/写周期,耐用性限制而导致数据丢失

https://www.sramsun.com/uploadfile/2020/0716/20200716095318556.jpg

无遗漏数据,写入速度与SRAM一样快,非易失性,无磨损,电源故障期间无数据丢失

MRAM像SRAM一样是快速写入的,而像Flash一样也是非易失性的,但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM,并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。

Everspin AEC认证的汽车应用MRAM

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网友评论

英尚微电子 2020年07月17日
汽车应用Serial MRAM

DensityOrg.Part NumberPkg.VoltageTempOrder Multiple /TrayMOQ / T&R
256Kb32Kx8MR25H256MDFR8-DFN sf3.3vAEC-Q100 Grade 15704000
256Kb32Kx8MR25H256MDCR8-DFN3.3vAEC-Q100 Grade 15704000
1Mb128Kx8MR25H10MDC8-DFN3.3VAEC-Q100 Grade 15704,000
256Kb32Kx8MR25H256MDC8-DFN3.3VAEC-Q100 Grade 15704,000
4Mb512Kx8MR25H40MDF8-DFN sf3.3VAEC-Q100 Grade 15704,000
1Mb128Kx8MR25H10MDF8-DFN sf3.3VAEC-Q100 Grade 15704,000
256Kb32Kx8MR25H256MDF8-DFN sf3.3VAEC-Q100 Grade 15704,000
256Kb32Kx8MR25H256AMDFR8-DFN sf3.3vAEC-Q100 Grade 15704000
256Kb32Kx8MR25H256AMDF8-DFN sf3.3vAEC-Q100 Grade 15704000
1Mb128Kx8MR25H10MDFR8-DFN sf3.3vAEC-Q100 Grade 15704000
1Mb128Kx8MR25H10MDCR8-DFN3.3vAEC-Q100 Grade 15704000
4Mb512Kx8MR25H40MDFR8-DFN sf3.3vAEC-Q100 Grade 15704000
128Kb16Kx8MR25H128AMDF8-DFN sf3.3vAEC-Q100 Grade 15704,000
128Kb16Kx8MR25H128AMDFR8-DFN sf3.3vAEC-Q100 Grade 15704,000

英尚微电子 2020年07月17日
汽车应用Parellel MRAM

DensityOrg.Part NumberPkg.VoltageTempMOQ(pcs) / TrayMOQ(pcs)/ T&R
4Mb256Kx16MR2A16AMYS3544-TSOP23.3VAEC-Q100 Grade 12701,500
1Mb64Kx16MR0A16AMYS3544-TSOP3.3VAEC-Q100 Grade 12701,500
4Mb512Kx8MR2A08AMYS3544-TSOP3.3VAEC-Q100 Grade 11,500270
4Mb512Kx8MR2A08AMYS35R44-TSOP23.3vAEC-Q100 Grade 11500270
1Mb64Kx16MR0A16AMYS35R44-TSOP23.3vAEC-Q100 Grade 12701500
4Mb256Kx16MR2A16AMYS35R44-TSOP23.3vAEC-Q100 Grade 12701500
2Mb128Kx16MR1A16AMYS3544-TSOP23.3vAEC-Q100 Grade 12701500
2Mb128Kx16MR1A16AMYS35R44-TSOP23.3vAEC-Q100 Grade 12701500