太空应用中多功能性工业级Everspin 4Mbit MRAM

Everspin的合作伙伴CAES他们共同开发的Toggle MRAM在太空应用中的多功能性和性能。CAES是太空存储器市场的翘楚，并基于Everspin的技术交付生产级，符合太空要求的磁阻随机存取存储器（MRAM），为太空工业提供辐射硬化，高度可靠的非易失性不受单事件翻转（SEU），低压单事件闩锁（SEL）和单事件门破裂（SEGR）影响的存储器。该产品还在-40°C至+ 105°C的温度范围内提供无限的耐用性和超过20年的使用寿命。

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Everspin 4 Mbit MRAM（磁性随机存取存储器）芯片由Everspin Technologies和IMU（惯性测量单元）芯片组成。新兴的MRAM技术结合了磁性材料和硅集成电路，形成了快速，可靠的非易失性RAM（NVRAM）。MRAM结合了具有扩展的温度操作，无限的耐久性和长久性的非易失性存储器。数据保留，即使断电也是如此。 Everspin的4Mbit MRAM器件取代了闪存和电池供电的SRAM。

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212954

由于MRAM耐辐射。为坚固的系统设计提供高温数据存储和访问以及高可靠性。在空间中对MRAM进行重新编程的能力允许对系统进行重新配置，而对耐久性，负载均衡或ECC开销没有任何限制。所以MRAM是非常适合使用于航空航天应用中。
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工业级Everspin 4Mbit MRAM

DensityOrg.Part NumberPkg.VoltageTempMOQ(pcs)/ T&R
4Mb256Kx16MR2A16AYS3544-TSOP3.3VCommercial1,500
4Mb256Kx16MR2A16ACYS3544-TSOP3.3VIndustrial1,500
4Mb256Kx16MR2A16AVYS3544-TSOP23.3VExtended1,500
4Mb256Kx16MR2A16AMYS3544-TSOP23.3VAEC-Q100 Grade 11,500
4Mb256Kx16MR2A16AMA3548-BGA3.3VCommercial2,000
4Mb256Kx16MR2A16ACMA3548-BGA3.3VIndustrial2,000
4Mb256Kx16MR2A16AVMA3548-BGA3.3VExtended2,000
4Mb512Kx8MR2A08AYS3544-TSOP3.3VCommercial270
4Mb512Kx8MR2A08ACYS3544-TSOP3.3VIndustrial270
4Mb512Kx8MR2A08AMYS3544-TSOP3.3VAEC-Q100 Grade 1270
4Mb512Kx8MR2A08AMA3548-BGA3.3VCommercial696
4Mb512Kx8MR2A08ACMA3548-BGA3.3VIndustrial696
4Mb256Kx16MR2A16AVYS35R44-TSOP23.3vExtended1500
4Mb256Kx16MR2A16AVMA35R48-BGA3.3vExtended2000
4Mb256Kx16MR2A16ACMA35R48-BGA3.3vIndustrial1500
4Mb256Kx16MR2A16ACYS35R44-TSOP23.3vIndustrial2000
4Mb256Kx16MR2A16AYS35R44-TSOP23.3vCommercial1500
4Mb256Kx16MR2A16AMA35R48-BGA3.3vCommercial2000
4Mb512Kx8MR2A08AMYS35R44-TSOP23.3vAEC-Q100 Grade 1270
4Mb512Kx8MR2A08ACYS35R44-TSOP23.3vIndustrial270
4Mb512Kx8MR2A08ACMA35R48-BGA3.3vIndustrial696
4Mb512Kx8MR2A08AYS35R44-TSOP23.3vCommercial270
4Mb512Kx8MR2A08AMA35R48-BGA3.3vCommercial696
4Mb256Kx16MR2A16AMYS35R44-TSOP23.3vAEC-Q100 Grade 11500