eMRAM究竟是融合还是替代？
2020年04月01日 13:48 发布者：英尚微电子
eMRAM属于新型存储技术，同目前占据市场主流的NAND闪存相比较，其具有更快的存取速度和更高的耐用性，在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM芯片的潜质。它在22nm的工艺下投产，将会加快新型存储技术的应用进程，未来发展前景将被看好。新型存储器芯片具有更快的存取速度和更好的耐用性，更小的裸片尺寸及成本和功耗等性能优势。例如以统合式 MRAM解决方案取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省90%的功耗。不过目前下一代存储器在量产制程方面仍然存在很多瓶颈。
eMRAM等新型存储器芯片将会取代DRAM和NAND FLASH成为市场主流吗？eMRAM只会取代部分DRAM和NAND的使用量，但仍是没有办法完全取代现有的存储器解决方案。在所有新一代存储器芯片中，eMRAM的电信特性与DRAM和NAND Flash来说是极其的相似，具备一定的优缺点，并未具备完全的替代DRAM和NAND Flash的性能。使用新一代存储器芯片对于传统平台来说，需要改变以往的平台架构才能适应，并不是可以轻松使用的。。
也就是说新一代存储器想要获得一定的市场空间，还需要与现有的存储器芯片解决方案进行配合，加快适应传统平台的架构，释放性能方面的优势。行业领先半导体供应商的EVERSPIN致力于生产研发MRAM，eMRAM存储芯片,满足市场的一切需求。制造和商业销售离散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球领导者，在包括40nm，28nm及更高技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM和eMRAM生产中.
网友评论
英尚微电子 2020年04月01日
新型存储器芯片具有更快的存取速度和更好的耐用性，更小的裸片尺寸及成本和功耗等性能优势。例如以统合式 MRAM解决方案取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省90%的功耗。
新型存储器芯片具有更快的存取速度和更好的耐用性，更小的裸片尺寸及成本和功耗等性能优势。例如以统合式 MRAM解决方案取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省90%的功耗。
英尚微电子 2020年04月01日
行业领先半导体供应商的EVERSPIN制造和商业销售离散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球领导者，在包括40nm，28nm及更高技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM和eMRAM生产中.英尚微电子作为核心授权代理商,为各行业领域提供了优质的产品供应.
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行业领先半导体供应商的EVERSPIN制造和商业销售离散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球领导者，在包括40nm，28nm及更高技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM和eMRAM生产中.英尚微电子作为核心授权代理商,为各行业领域提供了优质的产品供应.
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eMRAM属于新型存储技术，同目前占据市场主流的NAND闪存相比较，其具有更快的存取速度和更高的耐用性，在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM芯片的潜质。