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制造商
Advanced Semiconductor， Inc.

产品种类
射频(RF)双极晶体管

RoHS
符合

晶体管类型
Bipolar Power

技术
Si

晶体管极性
NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min
20

集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V

发射极 - 基极电压 VEBO
4 V

集电极连续电流
4 A

最小工作温度
- 65 C

最大工作温度
+ 200 C

安装风格
Screw Mount

封装 / 箱体
SOT-123

封装
Tray

工作频率
175 MHz

类型
RF Bipolar Power

商标
Advanced Semiconductor， Inc.

Pd-功率耗散
65 W

产品类型
RF Bipolar Transistors

子类别
Transistors