新的微分电导测量方法以更低成本、更快地揭示纳米器件特性

欧姆定律不一定适用

对更小尺寸、更低功耗电子器件的需求推动了纳米技术的发展。研究人员努力理解量子能级结构和纳米级器件的行为以及这些如何影响电气特性。这使观察或预测何时发生隧道效应，计算器件的能态密度，理解低温环境下的导电现象以及产生人造原子（其中能量量化可以基于材料的结构和形状进行修改）成为可能。

在宏观世界中，导体有可能遵守欧姆定律。在纳米技术领域中，欧姆对电阻的定义常常不再适用。纳米级器件I-V曲线的斜率可能不是材料的基本常数。因此，为了研究纳米器件需要测量I-V曲线在大量点上的斜率。微分电导（dG = dI/dV）曲线是针对纳米级器件最重要的测量之一，但是此测量也提出了一系列特殊的挑战。幸好，新的测量技术使这类研究变得更简单。

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