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高k栅介质中电荷俘获行为的脉冲特征分析
2011年03月08日 11:51 发布者:嵌入式公社
本文介绍了电荷俘获的原理以及直流特征分析技术对俘获电荷进行定量分析的局限性。接下来,本文介绍了一种超快的脉冲I-V分析技术,能够对具有快速瞬态充电效应(FTCE)的高k栅晶体管的本征(无俘获)性能进行特征分析。
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