格芯和SiFive将在12LP平台上为AI应用提供下一代高带宽存储器

基于格芯先进FinFET平台的下一代高带宽存储器解决方案旨在为基于云的AI应用提供所需的容量、速度和功耗

格芯（GLOBALFOUNDRIES）和SiFive, Inc.今天在中国台湾格芯技术大会(GTC)上宣布，他们正基于格芯最近发布的12LP+ FinFET解决方案，合作拓展配备高带宽存储器(HBM2E)技术的下一代高性能DRAM，同时提供2.5D封装设计服务，赋能人工智能(AI)应用的快速上市。

为了满足数据密集型AI训练应用的容量和带宽，系统设计师需要将更多带宽压缩到较小的区域中，并同时保持合理的功耗。SiFive基于格芯12LP平台和12LP+解决方案的可定制高带宽存储器接口将实现高带宽存储轻松集成到单个片上系统(SoC)解决方案中，在计算和有线基础设施市场中，为AI应用提供快速、节能的数据处理。

作为合作的一部分，设计人员还可以使用SiFive的RISC-V IP组合和DesignShare IP生态系统。该系统利用格芯的12LP+设计技术协同优化(DTCO)，帮助他们显著提高芯片的专业化，提高设计效率并快速、高效地交付差异化的SoC解决方案。

SiFive IP业务部门副总裁兼总经理Mohit Gupta表示：“SiFive的参考IP平台通过采用HBM2E技术进行扩展并建立在性能出色的格芯12LP+解决方案上，可为下一代SoC和加速器提供更高水平的性能和集成。部署高度优化的芯片需要高度可定制的功能，才能在低功耗和较小面积的需求之间实现平衡，并在低延迟的性能下，实现AI所需的更高的TOPS/毫瓦比，满足应用的需求。”

格芯的计算和有线基础架构战略业务部(CWI SBU)首席技术官Ted Letavic表示“格芯长期致力于提供差异化的FinFET特定应用解决方案和IP，帮助客户为AI应用开发性能增强型产品。结合格芯先进的FinFET平台和SiFive独特的设计方法，我们将开发独特的高性能边缘计算解决方案，使设计人员能够充分利用数据爆炸的优势。”

格芯的12LP+是针对AI训练和推理应用的创新型解决方案，可为设计人员提供高速、低功耗的0.5Vmin SRAM比特单元，用于在处理器与内存之间快速、节能地传输数据。此外，用于2.5D封装的新中介层有助于集成高带宽存储器与处理器，从而实现快速、节能的数据处理。

格芯在纽约马耳他的Fab 8正在开发SiFive基于格芯12LP和12LP+的HBM2E接口与定制IP解决方案。客户可以在2020年上半年开始优化芯片设计，以针对高性能计算和边缘AI应用开发差异化的解决方案。