20V双N沟道trench MOSFET提供低漏电流

2019年08月05日 13:32
  Nexperia的PMDXB600UNEL是一款双N沟道增强型MOSFET,其最大漏-源电压额定值为20V。下面具体来了解一下相关知识。
  PMDXB600UNEL采用小型、无引线DFN1010B-6(SOT1216)表面贴装封装,尺寸为1.1mm×1.0mm×0.37mm,以其极低漏电流而闻名。
  在25°C下、漏源电压为5V时,漏极漏电流最大为25nA,同样25°C下、栅源电压为±1.8V时,栅极漏电流最大为±50nA。
  PMDXB600UNEL的封装具有裸露的漏极焊盘,可提高导热性。结至焊点的热阻仅为31K/W。漏源导通电阻的额定值低至470mΩ,有助于器件在开关电源转换器中实现良好的效率。
  除了PMDXB600UNEL,Nexperia还提供PMDXB600UNEL的20V互补N/P沟道器件:PMCXB900UEL,以及20V双P沟道MOSFET:PMDXB950UPEL。这两款器件都提供低漏电流操作。
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