Qrr是什么

　　在电流流经MOSFET体二极管的应用中，例如，在同步整流器和续流应用中，反向恢复电荷Qrr会引起一些重大问题，设计工程师需要认真解决这些问题。那么，什么是Qrr呢？
　　Qrr是以nC为单位的存储电荷，它是当二极管正向偏置时，电荷载流子在体二极管的PN结中累积而引起。
　　由于大多数应用所需的死区时间，电流在每个开关周期内都会两次流过体二极管。
　　首先，我们可以考虑同步FET导通之前发生的事情。由于在死区时间内电流将流经体二极管，因此一些负载电流会形成存储电荷Qrr。
　　随着同步FET导通，存储电荷在MOSFET内部耗散。因此，一部分负载电流由于Qrr效应而丢失，并成为同步FET内的I2R损耗。
　　在第二种情况下，当高边MOSFET导通时，MOSFET的体二极管再次反向偏置。额外的电流Irr+负载电流短暂地流过高边MOSFET，直到存储电荷Qrr完全耗尽。
　　如您对以上产品感兴趣，可登陆富昌电子官网，了解更多包括等热门料号在内的产品信息。富昌电子官网是富昌官方[电子元件采购网]，为您提供包括[多层陶瓷电容]在内，品类丰富的电子元器件产品线。
富昌电子https://www.futureelectronics.cn