三星计划2021年推GAA技术3纳米制程

来源：科技新报

在先进制程的发展上，台积电与三星一直有着激烈的竞争。虽然，台积电已经宣布将在 2020 年正式量产 5 纳米制程。不过，三星也不甘示弱，预计透过新技术的研发，在 2021 年推出 3 纳米制程的产品。根据三星表示，其将推出的 3 纳米制程产品将比当前的 7 纳米制程产品效能提升 35%，能耗也再降低 50%，而且芯片的面积也再减少 45%。

根据外媒报导，三星 14 日于美国加州所举办的晶圆制造论坛 (Samsung Foundry Forum) 上宣布，目前三星正在开发一项名为 ?环绕栅极 (gate all around，GAA) ? 的技术，这个被称为当前 FinFET 技术进化版的生产技术，能够对芯片核心的晶体管进行重新设计和改造，使其更小更快。三星指出，预计 2021 年透过这项技术所推出的 3 纳米制程技术，将能使得三星在先进制程方面与台积电及英特尔进行抗衡，甚至超越。而且，能够解决芯片制造缩小过程中所带来的工程难题，以延续摩尔定律的持续发展。

而根据国际商业战略咨询公司 (International Business Strategies) 执行长 Handel Jones 表示，目前三星正透过强大的材料研究让晶圆制造技术获得发展。而在 GAA 的技术发展上，三星大约领先台积电 1 年的时间，而英特尔封面则是落后三星 2 到 3 年。三星也强调，GAA 技术的发展能够期待未来有更好的图形技术，人工智能及其他运算的进步，以确保未来包括智能型手机、手表、汽车、以及智慧家庭产品都能够有更好的效能。

事实上，之前三星就宣布将在未来 10 年内投资1,160 亿美元来发展非存储器项目的半导体产业，以成为未来全球的半导体产业霸主。其中，透过 GAA 技术发展的 3 纳米制程技术就是其中重要的关键。三星希望藉此吸引包括苹果、NVIDIA、高通、AMD 等目前台积电客户的青睐，以获取更多晶圆生产上的商机。