Diodes 推出新系列高侧/低侧闸极驱动器，采用 SO-8 封装以提供更高效能
2019年03月21日 07:37 发布者：eechina
Diodes 公司 推出全新系列的高电压、高速闸极驱动器，适用于转换器、变频器、马达控制，以及 D 类功率放大器等应用。上述装置适用于最高 100V 的马达驱动应用，同时可支持以 200V 运作的功率转换及反转应用。这些功能使其非常适用于各种消费性与工业设计，包括电动工具、机器人与无人机，以及小型电动车。
DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 为涵盖半桥与高侧/低侧拓扑的 200V 闸极驱动器，并采用标准低矮型 SO-8 封装。这些装置具有接面隔离位准偏移技术，可建立浮动信道高侧驱动器，用于以最高 200V 运作的自举式拓扑，并可驱动使用半桥组态的两个 N 通道 MOSFET。
此系列中的所有装置皆具备包含 Schmitt 触发的标准 TTL/CMOS 逻辑输入，最低能以 3.3V 运作，因此很容易将驱动器连接至控制电路。其输出的设计可承受负瞬态，并包含适用于高侧与低侧驱动器的欠压锁定。
DGD2003S8 与 DGD2005S8 分别具有 290mA 与 600mA 的源极与汲极电流，DGD2012S8 则为 1.9A 与 2.3A，在其范围内皆可维持功率效率。DGD2003S8 具有固定的 420ns 内部停滞时间，而 DGD2005S8 在高侧与低侧之间切换时，最大传播时间为 30ns。
DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 皆提供 SO-8 封装，并可在 -40°C 至 +125°C 的宽广温度范围中运作。
详细信息请参阅 www.diodes.com