Vishay推出新型超薄SMF封装TMBS整流器，节省空间且提高功率密度和能效

1 A至3 A器件反向电压从45 V到150 V，正向压降为0.36 V

Vishay推出15款采用eSMP系列超薄SMF (DO-219AB)封装新型1 A、2 A和3 A器件，扩充其表面贴装TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器产品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封装整流器节省空间，反向电压从45 V到150 V，3 A电流等级达到业内SMF封装器件最高水平。




目前，3 A电流等级肖特基整流器一般采用SMA封装。日前发布的器件采用更薄的SMF 封装，具有高正向电流的同时增加功率密度。器件封装尺寸 3.7 mm x 1.8 mm，高度降低至0.98 mm, 比SMA封装薄46%，电路板占位空间减少49%。

1 A、2 A和3 A器件正向压降分别为0.36 V、0.40 V和0.43 V，可降低续流二极管和极性保护二极管功耗，提高效率。应用于商业和工业用高频逆变器、DC/DC转换器等，器件还提供AEC-Q101认证版本，可用于汽车应用。

新整流器最高工作结温达+175 °C，MSL潮湿敏感度等级达到 J-STD-020 的1级，LF最高峰值为+260 °C。器件适用于自动贴片工艺要求，符合RoHS标准，无卤素。

器件规格表:

    器件型号  IF(AV) (A)  VRRM (V)  IFSM (A)  IF和TJ条件下VF   最大TJ (°C)
  VF (V)  IF (A)  TA (°C)
  V1FL45  1  45  30  0.36  1  125  150
  V1F6  1  60  30  0.45  1  125  150
  V1FM10  1  100  30  0.59  1  125  175
  V1FM12  1  120  30  0.61  1  125  175
  V1FM15  1  150  30  0.64  1  125  175
  V2FL45  2  45  40  0.4  2  125  150
  V2F6  2  60  50  0.45  2  125  150
  V2FM10  2  100  40  0.62  2  125  175
  V2FM12  2  120  40  0.65  2  125  175
  V2FM15  2  150  40  0.69  2  125  175
  V3FL45  3  45  50  0.43  3  125  150
  V3F6  3  60  60  0.49  3  125  150
  V3FM10  3  100  55  0.62  3  125  175
  V3FM12  3  120  60  0.64  3  125  175
  V3FM15  3  150  40  0.66  3  125  175

新款TMBS整流器现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为12周。关于上表器件型号的更多信息，请访问www.vishay.com/doc?48477。