SOT23-6双N沟道低压MOS管--AP9926

MOS管是场效应管(FET)，场效应管是场效应晶体管(field-effect transistor)的简称，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，也称为单极性场效应管，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件，场效应管不但具有双极性晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且输入回路的内阻高达107~1012Ω，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，且比后者耗电省，这些优点使之从20世纪60年代诞生起就广泛地应用于各种电子电路之中。AP9926mos管是性能极高的沟槽N沟道MOSFET，具有很高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDSON和栅极电荷，AP9926符合RoHS和绿色产品要求，并获得全面的功能可靠性认证。AP9926双N沟道MOSFET特征：　　•低导通电阻　　•24/26mΩ@ V GS = 4.5V　　•30/35mΩ@ V GS = 2.5V　　•低门限电压　　•低输入电容　　•快速切换速度　　•低输入/输出泄漏　　•无卤素选项可用　　•TrenchFET®功率MOSFET的　　•无铅设计/符合RoHS标准　　•“绿色”设备　　•符合AEC-Q101高可靠性标准AP9926低压mos绝对最大额定值：　
深圳市银联宝科技有限公司是一家专业从事中大功率场效应管(MOSFET)、肖特基二极管、电源芯片方案，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。2007年在深圳宝安，银联宝科技开启了前行之路，现在的已经拥有了独立的研发中心，研发人员以来自韩国的超一流团队为主体，可以迅速根据客户应用领域的个性来设计方案，同时引进多台国外先进设备，业务含括功率器件的参数检测、可靠性检测、系统分析、失效分析等领域。​