晶体管双稳态触发电路图

2011年02月14日 13:34 发布者：eetech

相关文章

革命性突破：东京大学研发掺镓氧化铟晶体管，开启后硅时代新篇章

告别硅时代？科学家研发出可取代硅的新型晶体管

IBM与Rapidus携手展示多阈值电压GAA晶体管研发成果，有望推动2nm制程量产

我国科学家发明新型“热发射极”晶体管

imec首次展示CFET晶体管，将在0.7nm A7节点引入