瑞萨推出新型超低功耗微控制器，对带LED和LCD显示屏的电容式触摸按键应用进行优化

扩充16位MCU产品线，服务智能家居和工业市场

瑞萨电子株式会社的子公司瑞萨电子（中国）有限公司（以下简称“瑞萨电子”）宣布推出R7F0C205L、R7F0C206L、R7F0C206M、R7F0C207M和R7F0C208M等5款新产品，扩充其16位微控制器（MCU）产品线，进一步加强对触控式家电设备、智能楼宇、工业自动化和便携式设备应用的开发支持。嵌入式开发人员可以利用新产品在单芯片上同时集成用户界面（包括电容触控键、LED和LCD）和系统控制功能。



该新款MCU继承了RL78系列产品业界领先的低功耗和卓越的电磁兼容性（EMC）等强大性能。电容式触控应用的开发人员能以超低功耗、极低成本利用瑞萨电子最先进的第二代电容式触控技术。此外，嵌入式LCD和LED直接驱动功能，支持多样化的产品设计，并在整个产品线上规范了开发人员MCU平台。MCU还集成了用于驱动LED和LCD的高电流端口，可优化具有LED和LCD显示器的电容式触摸按键应用。新型MCU是瑞萨电子首款在单芯片上支持LCD和LED直接驱动的16位触控式MCU。该新品将以包括MCU、Workbench和图形用户界面（GUI）工具（HMI代码生成器）的解决方案交付，相关评估板和评估套件将另行提供。

新型电容触控 MCU的主要特性：
•        检测多达64个键，低电容触控按键待机电流，高电流端口直接驱动LED
新型MCU可支持复杂的用户界面要求，最多支持64个键。有助于降低添加触控面板时布线的复杂性，简化电路板设计，互感式按键配置可提高防水性能。电容式触控键在待机模式下的平均能耗仅为6微安(uA)，可有效支持电池供电和其它具有低能耗要求的便携式设备。

MCU的内置大电流驱动端口可以直接驱动LED，适用于大多数LED显示屏和触控按钮控制LED显示应用。MCU还支持大部份通用接口。

•        可提供Workbench、软件和应用笔记，进一步缩短开发时间
通过使用瑞萨电子电容式触控键MCU中配置的Workbench自动校准工具，可以使用图形用户界面（GUI）更轻松、更快速地调整过去受不同电路板布局、跟踪图案、面板材料等因素影响而较难更改的灵敏度和其它设置。结合开发所需的软件和信息，包括应用注释、用户手册和参考软件，Workbench可与MCU样片及评估板一同使用，快速确认和评估系统操作，从而缩短开发时间。

•        电容式触控R7F0C208M评估套件通过IEC61000认证
目前已有三款电容式触控R7F0C208M评估套件通过IEC 61000-4-3和IEC61000-4-6抗噪声认证，即将向市场供应。

供货
新型解决方案以及可选参考板和评估板将于2018年2月供货。

该新型MCU包含64引脚、80引脚LQFP封装， 48 KB到128 KB闪存，支持消费类和工业类应用。其工业级产品可支持工业应用中复杂的人机界面（HMI）设计。

关于该新品的主要产品规格，请参阅以下规格表：

R7F0C205L、R7F0C206L、R7F0C206M、R7F0C207M 和 R7F0C208M 微控制器产品规格

    项目  64 引脚  80 引脚
  R7F0C205L  R7F0C206L  R7F0C206M  R7F0C207M  R7F0C208M
  代码闪存（注 1）  48 KB  64 KB  64 KB  96 KB  128 KB
  数据闪存  4 KB  4 KB  4 KB  4 KB  4 KB
  RAM  5.5 KB  6 KB  6 KB  7 KB  8 KB
  地址空间  1 MB
  主系统时钟  高速系统时钟  X1（晶体/陶瓷）振荡、外部主系统时钟输入 (EXCLK)
  HS（高速主）模式：1 - 20  MHz (VDD = 2.7 -  5.5 V)，
  HS（高速主）模式：1 - 16  MHz (VDD = 2.4 -  5.5 V)，
  LS（低速主）模式：1 - 8  MHz (VDD = 1.8 -  5.5 V)，
  LV（低电压主）模式：1 - 4  MHz (VDD = 1.6 -  5.5 V)
  高速内部振荡器时钟 (fIH)  HS（高速主）模式：1 - 24 MHz (VDD = 2.7 - 5.5 V)，
  HS（高速主）模式：1 - 16  MHz (VDD = 2.4 -  5.5 V)，
  LS（低速主）模式：1 - 8  MHz (VDD = 1.8 -  5.5 V)，
  LV（低电压主）模式：1 - 4  MHz (VDD = 1.6 -  5.5 V)
  16 位计时器 KB2 的时钟  48 MHz (TYP.)：VDD = 2.7 - 5.5 V
  副系统时钟  XT1（晶体）振荡器、外部副系统时钟输入 (EXCLKS)
  32.768 kHz  (TYP.)：VDD = 1.6 -  5.5 V
  低速片内部振荡器时钟  15 kHz (TYP.)：VDD = 1.6 - 5.5 V
  通用寄存器  8位 ′32个寄存器（8位 ′  8个寄存器 ′ 4组）
  最小指令执行时间  0.04167 μs（高速内部振荡器：fIH = 24 MHz 运行）
  0.05 μs（高速系统时钟：fMX = 20 MHz 运行）
  30.5 μs（副系统时钟：fSUB = 32.768 kHz 运行）
  指令集  ·           数据传输（8/16 位）
  ·          加减/逻辑运算（8/16位）
  ·          乘法运算（8 位 ′8  位，16 位 ′ 16 位），
  除法运算（16 位 ÷16 位，32 位 ÷ 32 位）
  ·          乘加运算（16位 × 16位 + 32位）
  ·          循环、桶式移位、位操作（置位、复位、测试和布尔运算）等
  输入/输出端口  总计  47  63
  　  CMOS 输入/输出  42（10 P-ch/N-ch 大电流端口，25 N-ch  大电流端口）  56（10 P-ch/N-ch 大电流端口，39 N-ch  大电流端口）
  　  CMOS 输入  5  5
  　  N-ch O.D I/O   -  2
  （耐受电压：6 V）
  振荡器引脚复用输入引脚  4  4
  定时器  16 位定时器 TAU  8 通道
  16 位定时器 KB2  1 通道
  　  看门狗定时器  1 通道
  　  12 位间隔定时器  1 通道
  　  实时时钟 (RTC)  1 通道
  　  RTC 输出  1
  1 Hz（副系统时钟：fSUB = 32.768 kHz）


    项目  64 引脚  80 引脚
  R7F0C205L  R7F0C206L  R7F0C206M  R7F0C207M  R7F0C208M
  定时器  定时器输出  4（TAU），2（TKB2）  8（TAU），2（TKB2）
  遥控输出  1
  时钟输出/蜂鸣器输出  2
  ·          2.44 kHz、4.88 kHz、9.77 kHz、1.25 MHz、2.5 MHz、5 Mhz 和 10 MHz
  （主系统时钟：fMAIN = 20 Mhz 运行）
  ·          256 Hz、512 Hz、1.024 kHz、2.048 kHz、4.096 kHz、8.192 kHz、16.384  kHz 和 32.768 kHz
  （副系统时钟：fSUB = 32.768 kHz 运行）
  12 位分辨率A/D转换器  8 通道  16 通道
  比较器  -  2 通道
  串行接口  
  ·          CSI：1 通道/UART（支持 LIN 总线）：1 通道/简易 I2C：1 通道
  ·          CSI：1 通道/UART：1 通道/简易 I2C：1 通道
  ·          UART（支持 IrDA）：1 通道
  　  I2C 总线  1 通道  1 通道
  数据传输控制器 (DTC)  28 源  30 源
  事件链接控制器  (ELC)  事件输入：28  事件输入：30
  事件触发输出：12  事件触发输出：12
  中断向量源  内部  31  31
  外部  9（注 2）  11（注 2）
  键中断  8（注 2）
  LCD 控制器/驱动器  能进行内部升压、电容分割和外部电阻分割的切换。
  　  段信号输出  28/26/24
  公共信号输出  2004/6/8
  静电电容式触摸传感器 (CTSU)  16 通道  24 通道
  复位  ·           通过RESET引脚复位
  ·          通过看门狗定时器进行内部复位
  ·          通过上电复位进行内部复位
  ·          通过电压检测器进行内部复位
  ·          因非法指令执行（注 3）进行内部复位
  ·          因RAM奇偶校验误差进行内部复位
  ·          因非法存储器访问进行内部复位
  上电复位电路  ·           上电复位：1.51 V ±0.04 V
  ·          断电复位：1.50 V ±0.04 V
  电压检测电路  ·           上升沿：1.67 V ±0.03 V - 4.06 V ±0.08 V（14 种）
  ·          下降沿：1.63 V ±0.03 V - 3.98 V ±0.08 V（14 种）
  片上调试功能  有
  电源电压  VDD = 1.6 - 5.5 V
  工作环境温度  TA = -40 to  +85°C（2C：工业用产品），
  TA = -40 - +85°C（2D：民用产品）

（注 1）参见 1.1 特性表中的 ROM 和 RAM 容量。
（注 2）8个键中断相当于1个外部中断源。
（注 3）如果执行指令代码 FFH 则会发生非法指令错误。在通过在线仿真器或片上调试仿真器进行仿真期间，不会发生因执行非法指令而产生复位。