开贴分析FL2440的bootloader
2010年09月11日 12:32 发布者:yanhong
本文转引自 飞凌嵌入式FL2440技术交流版 www.witech.com.cn感谢作者:jsacer2008的无私奉献:D
首先申明本人学习ARM不过数月,根基尚浅。以下分析如有谬误,还请大家之争。本着探讨和共同进步的目的,我把我花了几个星期看完的
bootloader并做得分析贴出。首先,bootloader中最重要的就是2440init.s引导代码,现将其贴出,整个文档太大,附件中没法上传,需要的
朋友可以去FL群空间里下载
;=========================================
; NAME: 2440INIT.S
; DESC: C start up codes
; Configure memory, ISR ,stacks
; Initialize C-variables
; HISTORY:
; 2002.02.25:kwtark: ver 0.0
; 2002.03.20:purnnamu: Add some functions for testing STOP,Sleep mode
; 2003.03.14onGo: Modified for 2440.
;2010.09.02:jinzhenjun analysed
;=========================================
GET option.inc
GET memcfg.inc
GET 2440addr.inc
BIT_SELFREFRESH EQU (1<<22)
re-defined constants
;系统的工作模式设定,宏定义
;对应的是各工作模式在CPSR中的位
; 7 6 5 4
3 2 1 0
; I F T M4 M3 M2 M1
M0
;USERMODE 0 0 0 1 0 0 0
0
;FIQMODE 0 0 0 1 0 0 0
1
;IRQMODE 0 0 0 1 0 0 1
0
;SVCMODE 0 0 0 1 0 0 1
1
;ABORTMODE 0 0 0 1 0 1 1
1
;UNDEFMODE 0 0 0 1 1 0 1
1
;MODEMASK 0 0 0 1 1 1 1
1
;NOINT 1 1 0 0 0 0
0 0
USERMODE EQU 0x10
FIQMODE EQU 0x11
IRQMODE EQU 0x12
SVCMODE EQU 0x13
ABORTMODE EQU 0x17
UNDEFMODE EQU 0x1b
MODEMASK EQU 0x1f
NOINT EQU 0xc0
;The location of stacks
;各种工作模式的堆栈首地址定义
;_STACK_BASEADDRESS EQU 0x33ff8000
;在内存中的堆栈表首地址
UserStack EQU (_STACK_BASEADDRESS-0x3800) ;0x33ff4800 ~
SVCStack EQU (_STACK_BASEADDRESS-0x2800) ;0x33ff5800 ~
UndefStack EQU (_STACK_BASEADDRESS-0x2400) ;0x33ff5c00 ~
AbortStack EQU (_STACK_BASEADDRESS-0x2000) ;0x33ff6000 ~
IRQStack EQU (_STACK_BASEADDRESS-0x1000) ;0x33ff7000 ~
FIQStack EQU (_STACK_BASEADDRESS-0x0) ;0x33ff8000 ~
;=============================================================================================;
; arm处理器有两种工作状态 1.arm:32位 这种工作状态下执行字对准的arm指令 2.Thumb:16位这种工作状 ;
; 态执行半字对准的Thumb指令因为处理器分为16位 32位两种工作状态 程序的编译器也是分16位和32两种 ;
; 编译方式 所以下面的程序用于根据处理器工作状态确定编译器编译方式code16伪指令指示汇编编译器后 ;
; 面的指令为16位的thumb指令code32伪指令指示汇编编译器后面的指令为32位的arm指令这段是为了统一 ;
; 目前的处理器工作状态和软件编译方式(16位编译环境使用tasm.exe编译)
;
;=============================================================================================;
;Check if tasm.exe(armasm -16 ...@ADS 1.0) is used.
GBLL THUMBCODE
;定义一个全局变量
[ {CONFIG} = 16
;if config==16 这里表示你的目前处于领先地16
位编译方式
THUMBCODE SETL {TRUE}
;设置THUMBCODE 为 true表示告诉系统当前想用thumb,但实际启动时不行,
只能启动后再跳
CODE32
;启动时强制使用32位编译模式
|
;
[ | ]表示if else endif
THUMBCODE SETL {FALSE}
;如果系统要求是ARM指令,则直接设置THUMBCODE 为 false 说明当前的是32
位编译模式
]
MACRO
;宏定义
MOV_PC_LR
;程序跳转,当CODE16时编译
器切换成Tumb模式
[ THUMBCODE
bx lr
|
mov pc,lr
]
MEND
MACRO
MOVEQ_PC_LR
;条件相等则程序跳转,当CODE16时
编译器切换成Tumb模式
[ THUMBCODE
bxeq lr
;相等Z=1,则跳转
|
moveq pc,lr
]
MEND
;===============================================================================================;
网友评论
yanhong 2010年09月11日
; ENTRY
;=======
ResetHandler
;开机或者
ldr r0,=WTCON ;watch dog disable
;关看门狗
ldr r1,=0x0
str r1,
ldr r0,=INTMSK
;禁全部中断
ldr r1,=0xffffffff ;all interrupt disable
str r1,
ldr r0,=INTSUBMSK
;禁全部子中断
ldr r1,=0x7fff ;all sub interrupt disable
str r1,
;led显示
[ {FALSE}
;因为FALSE值,所以这段代码
无效
; rGPFDAT = (rGPFDAT & ~(0xf<<4)) | ((~data & 0xf)<<4);
; Led_Display
ldr r0,=GPFCON
ldr r1,=0x5500
str r1,
ldr r0,=GPFDAT
ldr r1,=0x10
str r1,
]
;To reduce PLL lock time, adjust the LOCKTIME register.
ldr r0,=LOCKTIME
;设置时钟稳定等待的时间
ldr r1,=0xffffff
str r1,
[ PLL_ON_START
;配置时钟分频寄存器,确定系统各总线时钟的分频系数
; Added for confirm clock divide. for 2440.
; Setting value Fclk:Hclkclk
ldr r0,=CLKDIVN
ldr r1,=CLKDIV_VAL ; 0=1:1:1, 1=1:1:2, 2=1:2:2, 3=1:2:4, 4=1:4:4, 5=1:4:8, 6=1:3:3, 7=1:3:6.
str r1,
;===============================================================================================;
; MCR 指令用于将ARM 处理器寄存器中的数据传送到协处理器寄存器中,若协处理器不能成功完成操作,则产 ;
; 生未定义指令异常。其中协处理器操作码1 和协处理器操作码2 为协处理器将要执行的操作,源寄存器为 ;
; ARM 处理器的寄存器,目的寄存器1 和目的寄存器2 均为协处理器的寄存器。
;
;===============================================================================================;
[ CLKDIV_VAL>1 ; means Fclk:Hclk is not 1:1.
mrc p15,0,r0,c1,c0,0
;读MMU控制命令
orr r0,r0,#0xc0000000;R1_nF:OR:R1_iA
;功能如下:31位(iA bit)Function:Asynchronous clock select (选择异步时钟)30位(nF bit)Function: notFastBus
select
mcr p15,0,r0,c1,c0,0
|
mrc p15,0,r0,c1,c0,0
bic r0,r0,#0xc0000000;R1_iA:OR:R1_nF
mcr p15,0,r0,c1,c0,0
]
;Configure UPLL
;配置USB时钟锁相环
ldr r0,=UPLLCON
ldr r1,=((U_MDIV<<12)+(U_PDIV<<4)+U_SDIV)
str r1,
nop ; Caution: After UPLL setting, at least 7-clocks delay must be inserted for setting hardware be completed.
nop
nop
nop
nop
nop
nop
;Configure MPLL
ldr r0,=MPLLCON
;配置系统时钟锁相环
ldr r1,=((M_MDIV<<12)+(M_PDIV<<4)+M_SDIV) ;Fin=16.9344MHz
str r1,
]
;Check if the boot is caused by the wake-up from SLEEP mode.
ldr r1,=GSTATUS2
;判断系统是否是被唤醒的,是的话转入唤醒中断
函数
ldr r0,
tst r0,#0x2
;In case of the wake-up from SLEEP mode, go to SLEEP_WAKEUP handler.
bne WAKEUP_SLEEP
; EXPORT StartPointAfterSleepWakeUp
;StartPointAfterSleepWakeUp
;Set memory control registers
;ldr r0,=SMRDATA
adrl r0, SMRDATA
;配置SDRAM各组控制寄存器,配置信息在SMRDATA
数据区中
ldr r1,=BWSCON ;BWSCON Address
add r2, r0, #52 ;End address of SMRDATA
0
ldr r3, , #4
str r3, , #4
cmp r2, r0
bne %B0
;delay
mov r0, #&1000
;等待SDRAM稳定运行
1
subs r0, r0, #1
bne %B1
;===
;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;
;;;;;;;;;;;;; When EINT0 is pressed, Clear SDRAM
;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;
; check if EIN0 button is pressed
; ldr r0,=GPFCON
; ldr r1,=0x0
; str r1,
; ldr r0,=GPFUP
; ldr r1,=0xff
; str r1,
;
; ldr r1,=GPFDAT
; ldr r0,
; bic r0,r0,#(0x1e<<1) ; bit clear
; tst r0,#0x1
; bne %F1
; Clear SDRAM Start
; ldr r0,=GPFCON
; ldr r1,=0x55aa
; str r1,
; ldr r0,=GPFUP
; ldr r1,=0xff
; str r1,
; ldr r0,=GPFDAT
; ldr r1,=0x0
; str r1, ;LED=****
;Clear SDRAM End
1
;Initialize stacks
bl InitStacks
;初始化堆栈
;==========================================================
; Setup IRQ handler
;建立中断表
ldr r0,=HandleIRQ ;This routine is needed
ldr r1,=IsrIRQ ;if there isn t 'subs pc,lr,#4' at 0x18, 0x1c
str r1,
;===========================================================
;// 判断是从nor启动还是从nand启动
;===========================================================
;bl Led_Test
ldr r0, =BWSCON
ldr r0,
ands r0, r0, #6 ;OM != 0, NOR FLash boot
bne NORRoCopy ;don t read nand flash
adr r0, ResetEntry ;OM == 0, NAND FLash boot // ADR ;装载参照的地址=sub r0,pc,#0x268;
cmp r0, #0 ;if use Multi-ice,//
;JTAG调试时是直接下载到内存中运行,不需要再从nand拷贝
bne InitRamZero ;don t read nand flash for boot
;nop
;===========================================================
;//将程序从nandflash拷贝到sdram
;===========================================================
; ENTRY
;=======
ResetHandler
;开机或者
ldr r0,=WTCON ;watch dog disable
;关看门狗
ldr r1,=0x0
str r1,
ldr r0,=INTMSK
;禁全部中断
ldr r1,=0xffffffff ;all interrupt disable
str r1,
ldr r0,=INTSUBMSK
;禁全部子中断
ldr r1,=0x7fff ;all sub interrupt disable
str r1,
;led显示
[ {FALSE}
;因为FALSE值,所以这段代码
无效
; rGPFDAT = (rGPFDAT & ~(0xf<<4)) | ((~data & 0xf)<<4);
; Led_Display
ldr r0,=GPFCON
ldr r1,=0x5500
str r1,
ldr r0,=GPFDAT
ldr r1,=0x10
str r1,
]
;To reduce PLL lock time, adjust the LOCKTIME register.
ldr r0,=LOCKTIME
;设置时钟稳定等待的时间
ldr r1,=0xffffff
str r1,
[ PLL_ON_START
;配置时钟分频寄存器,确定系统各总线时钟的分频系数
; Added for confirm clock divide. for 2440.
; Setting value Fclk:Hclkclk
ldr r0,=CLKDIVN
ldr r1,=CLKDIV_VAL ; 0=1:1:1, 1=1:1:2, 2=1:2:2, 3=1:2:4, 4=1:4:4, 5=1:4:8, 6=1:3:3, 7=1:3:6.
str r1,
;===============================================================================================;
; MCR 指令用于将ARM 处理器寄存器中的数据传送到协处理器寄存器中,若协处理器不能成功完成操作,则产 ;
; 生未定义指令异常。其中协处理器操作码1 和协处理器操作码2 为协处理器将要执行的操作,源寄存器为 ;
; ARM 处理器的寄存器,目的寄存器1 和目的寄存器2 均为协处理器的寄存器。
;
;===============================================================================================;
[ CLKDIV_VAL>1 ; means Fclk:Hclk is not 1:1.
mrc p15,0,r0,c1,c0,0
;读MMU控制命令
orr r0,r0,#0xc0000000;R1_nF:OR:R1_iA
;功能如下:31位(iA bit)Function:Asynchronous clock select (选择异步时钟)30位(nF bit)Function: notFastBus
select
mcr p15,0,r0,c1,c0,0
|
mrc p15,0,r0,c1,c0,0
bic r0,r0,#0xc0000000;R1_iA:OR:R1_nF
mcr p15,0,r0,c1,c0,0
]
;Configure UPLL
;配置USB时钟锁相环
ldr r0,=UPLLCON
ldr r1,=((U_MDIV<<12)+(U_PDIV<<4)+U_SDIV)
str r1,
nop ; Caution: After UPLL setting, at least 7-clocks delay must be inserted for setting hardware be completed.
nop
nop
nop
nop
nop
nop
;Configure MPLL
ldr r0,=MPLLCON
;配置系统时钟锁相环
ldr r1,=((M_MDIV<<12)+(M_PDIV<<4)+M_SDIV) ;Fin=16.9344MHz
str r1,
]
;Check if the boot is caused by the wake-up from SLEEP mode.
ldr r1,=GSTATUS2
;判断系统是否是被唤醒的,是的话转入唤醒中断
函数
ldr r0,
tst r0,#0x2
;In case of the wake-up from SLEEP mode, go to SLEEP_WAKEUP handler.
bne WAKEUP_SLEEP
; EXPORT StartPointAfterSleepWakeUp
;StartPointAfterSleepWakeUp
;Set memory control registers
;ldr r0,=SMRDATA
adrl r0, SMRDATA
;配置SDRAM各组控制寄存器,配置信息在SMRDATA
数据区中
ldr r1,=BWSCON ;BWSCON Address
add r2, r0, #52 ;End address of SMRDATA
0
ldr r3, , #4
str r3, , #4
cmp r2, r0
bne %B0
;delay
mov r0, #&1000
;等待SDRAM稳定运行
1
subs r0, r0, #1
bne %B1
;===
;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;
;;;;;;;;;;;;; When EINT0 is pressed, Clear SDRAM
;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;
; check if EIN0 button is pressed
; ldr r0,=GPFCON
; ldr r1,=0x0
; str r1,
; ldr r0,=GPFUP
; ldr r1,=0xff
; str r1,
;
; ldr r1,=GPFDAT
; ldr r0,
; bic r0,r0,#(0x1e<<1) ; bit clear
; tst r0,#0x1
; bne %F1
; Clear SDRAM Start
; ldr r0,=GPFCON
; ldr r1,=0x55aa
; str r1,
; ldr r0,=GPFUP
; ldr r1,=0xff
; str r1,
; ldr r0,=GPFDAT
; ldr r1,=0x0
; str r1, ;LED=****
;Clear SDRAM End
1
;Initialize stacks
bl InitStacks
;初始化堆栈
;==========================================================
; Setup IRQ handler
;建立中断表
ldr r0,=HandleIRQ ;This routine is needed
ldr r1,=IsrIRQ ;if there isn t 'subs pc,lr,#4' at 0x18, 0x1c
str r1,
;===========================================================
;// 判断是从nor启动还是从nand启动
;===========================================================
;bl Led_Test
ldr r0, =BWSCON
ldr r0,
ands r0, r0, #6 ;OM != 0, NOR FLash boot
bne NORRoCopy ;don t read nand flash
adr r0, ResetEntry ;OM == 0, NAND FLash boot // ADR ;装载参照的地址=sub r0,pc,#0x268;
cmp r0, #0 ;if use Multi-ice,//
;JTAG调试时是直接下载到内存中运行,不需要再从nand拷贝
bne InitRamZero ;don t read nand flash for boot
;nop
;===========================================================
;//将程序从nandflash拷贝到sdram
;===========================================================
yanhong 2010年09月11日
nand_boot_beg
bl ClearSdram
mov r5, #NFCONF
;配置NandFlash的配置寄存器
;set timing value
ldr r0, =(7<<12)|(7<<8)|(7<<4)
str r0,
;enable control
ldr r0, =(0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1<<0)
str r0,
;配置控制寄存器
bl ReadNandID
;跳转到读取芯片ID函数,芯片ID存在R5中
mov r6, #0
ldr r0, =0xecF1
cmp r5, r0
beq %F1
; ldr r0, =0xecda
; cmp r5, r0
mov r6, #1 ;Nandaddr(寻址周期 0:4 1:5)
1
bl ReadNandStatus
;===============================================================================================;
; ldr取得是ResetEntry的绝对地址
;
; 这里ResetEntry的绝对地址是0x30100000,由ADS连接器中指定
;
; 这里不用adr,adr只适合短地址读取
;
;===============================================================================================;
mov r8, #0
ldr r9, =ResetEntry
mov r10,#32 ;+081010 feiling
;===============================================================================================;
; 这个的意思是看 r8 是不是一个block的第一个扇区的地址就看作为页计数的r8是不是64的整数倍,如果是 ;
; 整数倍那么就是block的第一个扇区了,那么在3段代码执行后下一步执行什么,3段是读一页的操作吧。如 ;
; 果是的话,后多少位会是0 如果是一个block的第一个扇区就执行CheckBadBlk 如果不是的话就直接读数据 ;
;===============================================================================================;
2
ands r0, r8, #0x3f
;如果是第一页,则检测坏块。这里0x3f代表一块是64页
bne %F3
mov r0, r8
bl CheckBadBlk
cmp r0, #0
;该处的r0是坏快标志,是0的
时候不是坏快,否则就是坏快
addne r8, r8, #64
;每块的页数 此处有BUG r8同时也做计数用。。
addne r10,r10,#64 ;+081010 feiling
;当是坏快的时候跳过该坏快
bne %F4
3
mov r0, r8
mov r1, r9
bl ReadNandPage
;跳转到的函数的功能是把nandflash中的程序数据
搬运到SDRAM中
add r9, r9, #2048
;每页的字节数
add r8, r8, #1
;页数+1
; 步骤4将前32页全部搬运一遍,这前32页应该已经包含了bootload在nandflash中固化了的RO段和RW段
4
cmp r8, r10
;要拷贝的页数 081010 pht:#32->r10
bcc %B2
;CC 无符号小
于
mov r5, #NFCONF ;DsNandFlash
ldr r0,
bic r0, r0, #1
str r0,
ldr pc, =InitRamZero
;此处跳转到内存空间 LDR 装载数据,寻址灵活。 但不改变PSR
;要装载一
个被存储的‘状态’并正确的恢复它 可以这样写:ldr r0, 换行 moves pc, r0
;注意,程
序不能在Nandflash中运行,NORFlash可以理解为类似SRAM的存储器,NandFlash可被理解为IO设备
;=============================================================================================
;若是从NAND启动,则拷贝工作已经在nand_boot_beg中完成,所以直接跳转到main
;若是从NOR启动,则将RO和RW部分都拷贝到内存,然后跳转到内存运行(也可在NOR中运行,只是速度稍慢)
;
;注:若在NOR中直接运行,需把RO/BASE改为0并定义RW/BASE 会跳过RO拷贝
;=============================================================================================
NORRoCopy ;copy_proc_beg by pht
bl ClearSdram
adr r0, ResetEntry
;判断是否在ROM中运行,ROM即RO指定的地址 从NOR启动
时ResetEntry为0
ldr r2, BaseOfROM
;如果相等,进行RW段的拷贝;不相等的话还需进
行RO段,也就是程序段的拷贝
cmp r0, r2
beq NORRwCopy
ldr r3, TopOfROM ;
0
;
程序段拷贝工作
ldmia r0!, {r4-r7}
stmia r2!, {r4-r7}
cmp r2, r3
bcc %B0
NORRwCopy
;数据段的拷贝工作
ldr r0, TopOfROM
ldr r1, BaseOfROM
sub r0, r0, r1
;TopOfROM-BaseOfROM得到从0开始RW的偏移地址
ldr r2, BaseOfBSS
;将RW部分的数据从ROM拷贝到RAM
ldr r3, BaseOfZero
0
;BSS段的拷贝工作
cmp r2, r3
ldrcc r1, , #4
strcc r1, , #4
bcc %B0
InitRamZero
;此段代码不管在NOR还是Nand中都将
搬运
mov r0, #0
ldr r2, BaseOfZero
ldr r3, EndOfBSS
1
;ZERO段的初始化工作
cmp r2, r3
;初始化Zero部分 不
管从哪里启动,这部分都需要执行
strcc r0, , #4
bcc %B1
ldr pc, =CEntry ;goto compiler address
; [ CLKDIV_VAL>1 ; means Fclk:Hclk is not 1:1.
; bl MMU_SetAsyncBusMode
; |
; bl MMU_SetFastBusMode ; default value.
; ]
CEntry
bl Main ;Don t use main() because ......
b .
;=========================================================
nand_boot_beg
bl ClearSdram
mov r5, #NFCONF
;配置NandFlash的配置寄存器
;set timing value
ldr r0, =(7<<12)|(7<<8)|(7<<4)
str r0,
;enable control
ldr r0, =(0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1<<0)
str r0,
;配置控制寄存器
bl ReadNandID
;跳转到读取芯片ID函数,芯片ID存在R5中
mov r6, #0
ldr r0, =0xecF1
cmp r5, r0
beq %F1
; ldr r0, =0xecda
; cmp r5, r0
mov r6, #1 ;Nandaddr(寻址周期 0:4 1:5)
1
bl ReadNandStatus
;===============================================================================================;
; ldr取得是ResetEntry的绝对地址
;
; 这里ResetEntry的绝对地址是0x30100000,由ADS连接器中指定
;
; 这里不用adr,adr只适合短地址读取
;
;===============================================================================================;
mov r8, #0
ldr r9, =ResetEntry
mov r10,#32 ;+081010 feiling
;===============================================================================================;
; 这个的意思是看 r8 是不是一个block的第一个扇区的地址就看作为页计数的r8是不是64的整数倍,如果是 ;
; 整数倍那么就是block的第一个扇区了,那么在3段代码执行后下一步执行什么,3段是读一页的操作吧。如 ;
; 果是的话,后多少位会是0 如果是一个block的第一个扇区就执行CheckBadBlk 如果不是的话就直接读数据 ;
;===============================================================================================;
2
ands r0, r8, #0x3f
;如果是第一页,则检测坏块。这里0x3f代表一块是64页
bne %F3
mov r0, r8
bl CheckBadBlk
cmp r0, #0
;该处的r0是坏快标志,是0的
时候不是坏快,否则就是坏快
addne r8, r8, #64
;每块的页数 此处有BUG r8同时也做计数用。。
addne r10,r10,#64 ;+081010 feiling
;当是坏快的时候跳过该坏快
bne %F4
3
mov r0, r8
mov r1, r9
bl ReadNandPage
;跳转到的函数的功能是把nandflash中的程序数据
搬运到SDRAM中
add r9, r9, #2048
;每页的字节数
add r8, r8, #1
;页数+1
; 步骤4将前32页全部搬运一遍,这前32页应该已经包含了bootload在nandflash中固化了的RO段和RW段
4
cmp r8, r10
;要拷贝的页数 081010 pht:#32->r10
bcc %B2
;CC 无符号小
于
mov r5, #NFCONF ;DsNandFlash
ldr r0,
bic r0, r0, #1
str r0,
ldr pc, =InitRamZero
;此处跳转到内存空间 LDR 装载数据,寻址灵活。 但不改变PSR
;要装载一
个被存储的‘状态’并正确的恢复它 可以这样写:ldr r0, 换行 moves pc, r0
;注意,程
序不能在Nandflash中运行,NORFlash可以理解为类似SRAM的存储器,NandFlash可被理解为IO设备
;=============================================================================================
;若是从NAND启动,则拷贝工作已经在nand_boot_beg中完成,所以直接跳转到main
;若是从NOR启动,则将RO和RW部分都拷贝到内存,然后跳转到内存运行(也可在NOR中运行,只是速度稍慢)
;
;注:若在NOR中直接运行,需把RO/BASE改为0并定义RW/BASE 会跳过RO拷贝
;=============================================================================================
NORRoCopy ;copy_proc_beg by pht
bl ClearSdram
adr r0, ResetEntry
;判断是否在ROM中运行,ROM即RO指定的地址 从NOR启动
时ResetEntry为0
ldr r2, BaseOfROM
;如果相等,进行RW段的拷贝;不相等的话还需进
行RO段,也就是程序段的拷贝
cmp r0, r2
beq NORRwCopy
ldr r3, TopOfROM ;
0
;
程序段拷贝工作
ldmia r0!, {r4-r7}
stmia r2!, {r4-r7}
cmp r2, r3
bcc %B0
NORRwCopy
;数据段的拷贝工作
ldr r0, TopOfROM
ldr r1, BaseOfROM
sub r0, r0, r1
;TopOfROM-BaseOfROM得到从0开始RW的偏移地址
ldr r2, BaseOfBSS
;将RW部分的数据从ROM拷贝到RAM
ldr r3, BaseOfZero
0
;BSS段的拷贝工作
cmp r2, r3
ldrcc r1, , #4
strcc r1, , #4
bcc %B0
InitRamZero
;此段代码不管在NOR还是Nand中都将
搬运
mov r0, #0
ldr r2, BaseOfZero
ldr r3, EndOfBSS
1
;ZERO段的初始化工作
cmp r2, r3
;初始化Zero部分 不
管从哪里启动,这部分都需要执行
strcc r0, , #4
bcc %B1
ldr pc, =CEntry ;goto compiler address
; [ CLKDIV_VAL>1 ; means Fclk:Hclk is not 1:1.
; bl MMU_SetAsyncBusMode
; |
; bl MMU_SetFastBusMode ; default value.
; ]
CEntry
bl Main ;Don t use main() because ......
b .
;=========================================================
yanhong 2010年09月11日
ClearSdram
mov r1,#0
mov r2,#0
mov r3,#0
mov r4,#0
mov r5,#0
mov r6,#0
mov r7,#0
mov r8,#0
ldr r9,=0x00700000 ;for wince
ldr r0,=0x30000000
0
stmia r0!,{r1-r8}
subs r9,r9,#32
bne %B0
mov pc,lr
;===========================================================
;function initializing stacks
InitStacks
;进入各种模式,分别配置各种模式的
堆栈地址
;Don t use DRAM,such as stmfd,ldmfd......
;SVCstack is initialized before
;Under toolkit ver 2.5, 'msr cpsr,r1' can be used instead of 'msr cpsr_cxsf,r1'
mrs r0,cpsr
bic r0,r0,#MODEMASK
orr r1,r0,#UNDEFMODE|NOINT
msr cpsr_cxsf,r1 ;UndefMode
ldr sp,=UndefStack ; UndefStack=0x33FF_5C00
orr r1,r0,#ABORTMODE|NOINT
msr cpsr_cxsf,r1 ;AbortMode
ldr sp,=AbortStack ; AbortStack=0x33FF_6000
orr r1,r0,#IRQMODE|NOINT
msr cpsr_cxsf,r1 ;IRQMode
ldr sp,=IRQStack ; IRQStack=0x33FF_7000
orr r1,r0,#FIQMODE|NOINT
msr cpsr_cxsf,r1 ;FIQMode
ldr sp,=FIQStack ; FIQStack=0x33FF_8000
bic r0,r0,#MODEMASK|NOINT
orr r1,r0,#SVCMODE
msr cpsr_cxsf,r1 ;SVCMode
ldr sp,=SVCStack ; SVCStack=0x33FF_5800
;USER mode has not be initialized.
mov pc,lr
;The LR register won t be valid if the current mode is not SVC mode.
;===========================================================
ReadNandID
mov r7,#NFCONF
ldr r0, ;NFChipEn();
;使能NandFlash芯片
bic r0,r0,#2
str r0,
mov r0,#0x90 ;WrNFCmd(RdIDCMD);
strb r0,
;命令寄存器,写90h,读ID
mov r4,#0 ;WrNFAddr(0);
strb r4,
;读命令第二步,地址写0
1 ;while(NFIsBusy());
ldr r0,
;判断是否忙,状态寄存器
tst r0,#1
beq %B1
ldrb r0, ;id = RdNFDat()<<8; ;从
读数据ID,读取ID,前两个周期即可分辨芯片
mov r0,r0,lsl #8
ldrb r1, ;id |= RdNFDat();
orr r5,r1,r0
ldr r0, ;NFChipDs();
;禁止NandFlash芯片
orr r0,r0,#2
str r0,
mov pc,lr
ReadNandStatus
mov r7,#NFCONF
ldr r0, ;NFChipEn();
bic r0,r0,#2
str r0,
mov r0,#0x70 ;WrNFCmd(QUERYCMD);
;命令为读状态寄存器
strb r0,
ldrb r1, ;r1 = RdNFDat();
;状态数据存在R1中
ldr r0, ;NFChipDs();
orr r0,r0,#2
str r0,
mov pc,lr
WaitNandBusy
mov r0,#0x70 ;WrNFCmd(QUERYCMD);
mov r1,#NFCONF
strb r0,
1 ;while(!(RdNFDat()&0x40));
ldrb r0,
tst r0,#0x40
beq %B1
mov r0,#0 ;WrNFCmd(READCMD0);
;00h 老操作的结束,新操作的开始
strb r0,
mov pc,lr
;===============================================================================================;
; Samsung makes sure that either the 1st or 2nd page of every
;
; 坏快标志的检测步骤
;
; 1.Set Block Address = 0
;
; 2.Check "FFh" at the column address 2048,of the 1st and 2nd page in the block
;
; 3.Check "FFh" ? Y->继续 N->记录坏快进入坏块表
;
; 4.判断Last Block ? Y->检测完成 N->块数加1,跳转到地2歩
;
;===============================================================================================;
;initial invalid block has non-FFh data at the column address of 2048
CheckBadBlk
mov r7, lr
mov r5, #NFCONF
bic r0,r0,#0x3f ;addr &= ~0x3f;
;r0中存放的是页数
ldr r1, ;NFChipEn()
bic r1,r1,#2
str r1,
mov r1,#0x00 ;WrNFCmd(READCMD)
strb r1,
mov r1, #0 ;2048&0xff
strb r1, ;WrNFAddr(2048&0xff);
mov r1, #8 ;(2048>>8)&0xf
;这里的坏快检测操作就是获取每页1K地址处的值,看看是不是为0xff
strb r1,
strb r0, ;WrNFAddr(addr)
mov r1,r0,lsr #8 ;WrNFAddr(addr>>8)
strb r1,
cmp r6,#0 ;if(NandAddr)
movne r1,r0,lsr #16 ;WrNFAddr(addr>>16)
strb r1,
mov r1,#0x30 ;WrNFCmd(0x30)
strb r1,
; cmp r6,#0 ;if(NandAddr)
; movne r0,r0,lsr #16 ;WrNFAddr(addr>>16)
; strneb r0,
; bl WaitNandBusy ;WaitNFBusy()
;don t use WaitNandBusy, after WaitNandBusy will read part A!
mov r0, #100
1
subs r0, r0, #1
bne %B1
2
ldr r0,
;1歩与2歩都在等待
tst r0, #1
beq %B2
ldrb r0, ;RdNFDat()
sub r0, r0, #0xff
;r0中的数据为nandflash中该地址数据减去0xff
,因为非坏块时该处值为0xff
; mov r1,#0 ;WrNFCmd(READCMD0)
; strb r1,
ldr r1, ;NFChipDs()
orr r1,r1,#2
str r1,
mov pc, r7
ReadNandPage
mov r7,lr
mov r4,r1
mov r5,#NFCONF
ldr r1, ;NFChipEn()
bic r1,r1,#2
str r1,
;===============================================================================================;
; K9F2G08UXA的地址传送方式如下 ;
; I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4
I/O5 I/O6 I/O7
;
; 1st 0 1 2
3 4 5 6
7
;
; 2st 8 9 10
11 L L L
L L(Low) ;
; 3st 12 13 14 15
16 17 18 19
;
; 4st 20 21 22 23
24 25 26 27
;
; 5st 28 L L
L L L L
L
;
; K9F2G08UXA的读地址中数据的流程为:(一下程序段即此过程展示)
;
; 1. Write 00h
;
; 2. Write Address
;
; 3. Write 30h
;
; 4. Read Data
;
; 5. ECC Generation
;
; 6. Verify ECC并判断是否正确(硬件自动实现)
;
; 7. 完成
;
;===============================================================================================;
mov r1,#0 ;WrNFCmd(READCMD0)
strb r1,
;Waiting for next command
strb r1, ;WrNFAddr(0)
;输入地址,地址从小地址开始写
strb r1, ;WrNFAddr(0)
strb r0, ;WrNFAddr(addr)
;R8-》R0中保存的是当前检测的页面数
mov r1,r0,lsr #8 ;WrNFAddr(addr>>8)
strb r1,
cmp r6,#0 ;if(NandAddr)
;提供一个判断条件,判断是否是增强型的Flash 是的一页2K字节
movne r1,r0,lsr #16 ;WrNFAddr(addr>>16)
;K9F2G08UXA所以页均可以这种方式读出。
strb r1,
mov r1,#0x30 ;WrNFCmd(0x30)
strb r1,
ldr r0, ;InitEcc()
orr r0,r0,#0x10
str r0,
bl WaitNandBusy ;WaitNFBusy()
mov r0,#0 ;for(i=0; i<2048; i++)
1
ldrb r1, ;buf = RdNFDat()
strb r1,
;r4中存放的是RO中程序段对应复制页的地址
add r0,r0,#1
bic r0,r0,#0x10000 ;?
;最大1G
cmp r0,#0x800
;一页有2048个字节,全部放入执行段中去
bcc %B1
ldr r0, ;NFChipDs()
orr r0,r0,#2
str r0,
mov pc,r7
;--------------------LED test------------------------------
EXPORT Led_Test
;LED测试代码,没有太多分析价值
Led_Test
mov r0, #0x56000000
mov r1, #0x5500
str r1,
0
mov r1, #0x50
str r1,
mov r2, #0x100000
1
subs r2, r2, #1
bne %B1
mov r1, #0xa0
str r1,
mov r2, #0x100000
2
subs r2, r2, #1
bne %B2
b %B0
mov pc, lr
;===========================================================
LTORG
;GCS0->SST39VF1601
;GCS1->16c550
;GCS2->IDE
;GCS3->CS8900
;GCS4->DM9000
;GCS5->CF Card
;GCS6->SDRAM
;GCS7->unused
SMRDATA DATA
; Memory configuration should be optimized for best performance
; The following parameter is not optimized.
; Memory access cycle parameter strategy
; 1) The memory settings is safe parameters even at HCLK=75Mhz.
; 2) SDRAM refresh period is for HCLK<=75Mhz.
DCD (0+(B1_BWSCON<<4)+(B2_BWSCON<<8)+(B3_BWSCON<<12)+(B4_BWSCON<<16)+(B5_BWSCON<<20)+(B6_BWSCON<<24)+(B7_BWSCON<<28))
DCD ((B0_Tacs<<13)+(B0_Tcos<<11)+(B0_Tacc<<8)+(B0_Tcoh<<6)+(B0_Tah<<4)+(B0_Tacp<<2)+(B0_PMC)) ;GCS0
DCD ((B1_Tacs<<13)+(B1_Tcos<<11)+(B1_Tacc<<8)+(B1_Tcoh<<6)+(B1_Tah<<4)+(B1_Tacp<<2)+(B1_PMC)) ;GCS1
DCD ((B2_Tacs<<13)+(B2_Tcos<<11)+(B2_Tacc<<8)+(B2_Tcoh<<6)+(B2_Tah<<4)+(B2_Tacp<<2)+(B2_PMC)) ;GCS2
DCD ((B3_Tacs<<13)+(B3_Tcos<<11)+(B3_Tacc<<8)+(B3_Tcoh<<6)+(B3_Tah<<4)+(B3_Tacp<<2)+(B3_PMC)) ;GCS3
DCD ((B4_Tacs<<13)+(B4_Tcos<<11)+(B4_Tacc<<8)+(B4_Tcoh<<6)+(B4_Tah<<4)+(B4_Tacp<<2)+(B4_PMC)) ;GCS4
DCD ((B5_Tacs<<13)+(B5_Tcos<<11)+(B5_Tacc<<8)+(B5_Tcoh<<6)+(B5_Tah<<4)+(B5_Tacp<<2)+(B5_PMC)) ;GCS5
DCD ((B6_MT<<15)+(B6_Trcd<<2)+(B6_SCAN)) ;GCS6
DCD ((B7_MT<<15)+(B7_Trcd<<2)+(B7_SCAN)) ;GCS7
DCD ((REFEN<<23)+(TREFMD<<22)+(Trp<<20)+(Tsrc<<18)+(Tchr<<16)+REFCNT)
DCD 0x32 ;SCLK power saving mode, BANKSIZE 128M/128M
;DCD 0x02 ;SCLK power saving disable, BANKSIZE 128M/128M
DCD 0x20 ;MRSR6 CL=2clk
DCD 0x20 ;MRSR7 CL=2clk
BaseOfROM DCD |Image$$RO$$Base|
TopOfROM DCD |Image$$RO$$Limit|
BaseOfBSS DCD |Image$$RW$$Base|
BaseOfZero DCD |Image$$ZI$$Base|
EndOfBSS DCD |Image$$ZI$$Limit|
ALIGN
;Function for entering power down mode
; 1. SDRAM should be in self-refresh mode.
; 2. All interrupt should be maksked for SDRAM/DRAM self-refresh.
; 3. LCD controller should be disabled for SDRAM/DRAM self-refresh.
; 4. The I-cache may have to be turned on.
; 5. The location of the following code may have not to be changed.
;void EnterPWDN(int CLKCON);
EnterPWDN
;其实bootload根本不会执行
到下面的代码,下面关于EnterPWDN的代码纯属废码
mov r2,r0 ;r2=rCLKCON
tst r0,#0x8 ;SLEEP mode?
bne ENTER_SLEEP
ENTER_STOP
ldr r0,=REFRESH
;2440addr.inc中定义REFRESH EQU
0x48000024 ;DRAM/SDRAM refresh
ldr r3, ;r3=rREFRESH
mov r1, r3
orr r1, r1, #BIT_SELFREFRESH
str r1, ;Enable SDRAM self-refresh
mov r1,#16 ;wait until self-refresh is issued. may not be needed.
0 subs r1,r1,#1
bne %B0
ldr r0,=CLKCON ;enter STOP mode.
str r2,
mov r1,#32
0 subs r1,r1,#1 ;1) wait until the STOP mode is in effect.
bne %B0 ;2) Or wait here until the CPU&Peripherals will be turned-off
; Entering SLEEP mode, only the reset by wake-up is available.
ldr r0,=REFRESH ;exit from SDRAM self refresh mode.
str r3,
MOV_PC_LR
ENTER_SLEEP
;NOTE.
;1) rGSTATUS3 should have the return address after wake-up from SLEEP mode.
ldr r0,=REFRESH
ldr r1, ;r1=rREFRESH
orr r1, r1, #BIT_SELFREFRESH
str r1, ;Enable SDRAM self-refresh
mov r1,#16 ;Wait until self-refresh is issued,which may not be needed.
0 subs r1,r1,#1
bne %B0
ClearSdram
mov r1,#0
mov r2,#0
mov r3,#0
mov r4,#0
mov r5,#0
mov r6,#0
mov r7,#0
mov r8,#0
ldr r9,=0x00700000 ;for wince
ldr r0,=0x30000000
0
stmia r0!,{r1-r8}
subs r9,r9,#32
bne %B0
mov pc,lr
;===========================================================
;function initializing stacks
InitStacks
;进入各种模式,分别配置各种模式的
堆栈地址
;Don t use DRAM,such as stmfd,ldmfd......
;SVCstack is initialized before
;Under toolkit ver 2.5, 'msr cpsr,r1' can be used instead of 'msr cpsr_cxsf,r1'
mrs r0,cpsr
bic r0,r0,#MODEMASK
orr r1,r0,#UNDEFMODE|NOINT
msr cpsr_cxsf,r1 ;UndefMode
ldr sp,=UndefStack ; UndefStack=0x33FF_5C00
orr r1,r0,#ABORTMODE|NOINT
msr cpsr_cxsf,r1 ;AbortMode
ldr sp,=AbortStack ; AbortStack=0x33FF_6000
orr r1,r0,#IRQMODE|NOINT
msr cpsr_cxsf,r1 ;IRQMode
ldr sp,=IRQStack ; IRQStack=0x33FF_7000
orr r1,r0,#FIQMODE|NOINT
msr cpsr_cxsf,r1 ;FIQMode
ldr sp,=FIQStack ; FIQStack=0x33FF_8000
bic r0,r0,#MODEMASK|NOINT
orr r1,r0,#SVCMODE
msr cpsr_cxsf,r1 ;SVCMode
ldr sp,=SVCStack ; SVCStack=0x33FF_5800
;USER mode has not be initialized.
mov pc,lr
;The LR register won t be valid if the current mode is not SVC mode.
;===========================================================
ReadNandID
mov r7,#NFCONF
ldr r0, ;NFChipEn();
;使能NandFlash芯片
bic r0,r0,#2
str r0,
mov r0,#0x90 ;WrNFCmd(RdIDCMD);
strb r0,
;命令寄存器,写90h,读ID
mov r4,#0 ;WrNFAddr(0);
strb r4,
;读命令第二步,地址写0
1 ;while(NFIsBusy());
ldr r0,
;判断是否忙,状态寄存器
tst r0,#1
beq %B1
ldrb r0, ;id = RdNFDat()<<8; ;从
读数据ID,读取ID,前两个周期即可分辨芯片
mov r0,r0,lsl #8
ldrb r1, ;id |= RdNFDat();
orr r5,r1,r0
ldr r0, ;NFChipDs();
;禁止NandFlash芯片
orr r0,r0,#2
str r0,
mov pc,lr
ReadNandStatus
mov r7,#NFCONF
ldr r0, ;NFChipEn();
bic r0,r0,#2
str r0,
mov r0,#0x70 ;WrNFCmd(QUERYCMD);
;命令为读状态寄存器
strb r0,
ldrb r1, ;r1 = RdNFDat();
;状态数据存在R1中
ldr r0, ;NFChipDs();
orr r0,r0,#2
str r0,
mov pc,lr
WaitNandBusy
mov r0,#0x70 ;WrNFCmd(QUERYCMD);
mov r1,#NFCONF
strb r0,
1 ;while(!(RdNFDat()&0x40));
ldrb r0,
tst r0,#0x40
beq %B1
mov r0,#0 ;WrNFCmd(READCMD0);
;00h 老操作的结束,新操作的开始
strb r0,
mov pc,lr
;===============================================================================================;
; Samsung makes sure that either the 1st or 2nd page of every
;
; 坏快标志的检测步骤
;
; 1.Set Block Address = 0
;
; 2.Check "FFh" at the column address 2048,of the 1st and 2nd page in the block
;
; 3.Check "FFh" ? Y->继续 N->记录坏快进入坏块表
;
; 4.判断Last Block ? Y->检测完成 N->块数加1,跳转到地2歩
;
;===============================================================================================;
;initial invalid block has non-FFh data at the column address of 2048
CheckBadBlk
mov r7, lr
mov r5, #NFCONF
bic r0,r0,#0x3f ;addr &= ~0x3f;
;r0中存放的是页数
ldr r1, ;NFChipEn()
bic r1,r1,#2
str r1,
mov r1,#0x00 ;WrNFCmd(READCMD)
strb r1,
mov r1, #0 ;2048&0xff
strb r1, ;WrNFAddr(2048&0xff);
mov r1, #8 ;(2048>>8)&0xf
;这里的坏快检测操作就是获取每页1K地址处的值,看看是不是为0xff
strb r1,
strb r0, ;WrNFAddr(addr)
mov r1,r0,lsr #8 ;WrNFAddr(addr>>8)
strb r1,
cmp r6,#0 ;if(NandAddr)
movne r1,r0,lsr #16 ;WrNFAddr(addr>>16)
strb r1,
mov r1,#0x30 ;WrNFCmd(0x30)
strb r1,
; cmp r6,#0 ;if(NandAddr)
; movne r0,r0,lsr #16 ;WrNFAddr(addr>>16)
; strneb r0,
; bl WaitNandBusy ;WaitNFBusy()
;don t use WaitNandBusy, after WaitNandBusy will read part A!
mov r0, #100
1
subs r0, r0, #1
bne %B1
2
ldr r0,
;1歩与2歩都在等待
tst r0, #1
beq %B2
ldrb r0, ;RdNFDat()
sub r0, r0, #0xff
;r0中的数据为nandflash中该地址数据减去0xff
,因为非坏块时该处值为0xff
; mov r1,#0 ;WrNFCmd(READCMD0)
; strb r1,
ldr r1, ;NFChipDs()
orr r1,r1,#2
str r1,
mov pc, r7
ReadNandPage
mov r7,lr
mov r4,r1
mov r5,#NFCONF
ldr r1, ;NFChipEn()
bic r1,r1,#2
str r1,
;===============================================================================================;
; K9F2G08UXA的地址传送方式如下 ;
; I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4
I/O5 I/O6 I/O7
;
; 1st 0 1 2
3 4 5 6
7
;
; 2st 8 9 10
11 L L L
L L(Low) ;
; 3st 12 13 14 15
16 17 18 19
;
; 4st 20 21 22 23
24 25 26 27
;
; 5st 28 L L
L L L L
L
;
; K9F2G08UXA的读地址中数据的流程为:(一下程序段即此过程展示)
;
; 1. Write 00h
;
; 2. Write Address
;
; 3. Write 30h
;
; 4. Read Data
;
; 5. ECC Generation
;
; 6. Verify ECC并判断是否正确(硬件自动实现)
;
; 7. 完成
;
;===============================================================================================;
mov r1,#0 ;WrNFCmd(READCMD0)
strb r1,
;Waiting for next command
strb r1, ;WrNFAddr(0)
;输入地址,地址从小地址开始写
strb r1, ;WrNFAddr(0)
strb r0, ;WrNFAddr(addr)
;R8-》R0中保存的是当前检测的页面数
mov r1,r0,lsr #8 ;WrNFAddr(addr>>8)
strb r1,
cmp r6,#0 ;if(NandAddr)
;提供一个判断条件,判断是否是增强型的Flash 是的一页2K字节
movne r1,r0,lsr #16 ;WrNFAddr(addr>>16)
;K9F2G08UXA所以页均可以这种方式读出。
strb r1,
mov r1,#0x30 ;WrNFCmd(0x30)
strb r1,
ldr r0, ;InitEcc()
orr r0,r0,#0x10
str r0,
bl WaitNandBusy ;WaitNFBusy()
mov r0,#0 ;for(i=0; i<2048; i++)
1
ldrb r1, ;buf = RdNFDat()
strb r1,
;r4中存放的是RO中程序段对应复制页的地址
add r0,r0,#1
bic r0,r0,#0x10000 ;?
;最大1G
cmp r0,#0x800
;一页有2048个字节,全部放入执行段中去
bcc %B1
ldr r0, ;NFChipDs()
orr r0,r0,#2
str r0,
mov pc,r7
;--------------------LED test------------------------------
EXPORT Led_Test
;LED测试代码,没有太多分析价值
Led_Test
mov r0, #0x56000000
mov r1, #0x5500
str r1,
0
mov r1, #0x50
str r1,
mov r2, #0x100000
1
subs r2, r2, #1
bne %B1
mov r1, #0xa0
str r1,
mov r2, #0x100000
2
subs r2, r2, #1
bne %B2
b %B0
mov pc, lr
;===========================================================
LTORG
;GCS0->SST39VF1601
;GCS1->16c550
;GCS2->IDE
;GCS3->CS8900
;GCS4->DM9000
;GCS5->CF Card
;GCS6->SDRAM
;GCS7->unused
SMRDATA DATA
; Memory configuration should be optimized for best performance
; The following parameter is not optimized.
; Memory access cycle parameter strategy
; 1) The memory settings is safe parameters even at HCLK=75Mhz.
; 2) SDRAM refresh period is for HCLK<=75Mhz.
DCD (0+(B1_BWSCON<<4)+(B2_BWSCON<<8)+(B3_BWSCON<<12)+(B4_BWSCON<<16)+(B5_BWSCON<<20)+(B6_BWSCON<<24)+(B7_BWSCON<<28))
DCD ((B0_Tacs<<13)+(B0_Tcos<<11)+(B0_Tacc<<8)+(B0_Tcoh<<6)+(B0_Tah<<4)+(B0_Tacp<<2)+(B0_PMC)) ;GCS0
DCD ((B1_Tacs<<13)+(B1_Tcos<<11)+(B1_Tacc<<8)+(B1_Tcoh<<6)+(B1_Tah<<4)+(B1_Tacp<<2)+(B1_PMC)) ;GCS1
DCD ((B2_Tacs<<13)+(B2_Tcos<<11)+(B2_Tacc<<8)+(B2_Tcoh<<6)+(B2_Tah<<4)+(B2_Tacp<<2)+(B2_PMC)) ;GCS2
DCD ((B3_Tacs<<13)+(B3_Tcos<<11)+(B3_Tacc<<8)+(B3_Tcoh<<6)+(B3_Tah<<4)+(B3_Tacp<<2)+(B3_PMC)) ;GCS3
DCD ((B4_Tacs<<13)+(B4_Tcos<<11)+(B4_Tacc<<8)+(B4_Tcoh<<6)+(B4_Tah<<4)+(B4_Tacp<<2)+(B4_PMC)) ;GCS4
DCD ((B5_Tacs<<13)+(B5_Tcos<<11)+(B5_Tacc<<8)+(B5_Tcoh<<6)+(B5_Tah<<4)+(B5_Tacp<<2)+(B5_PMC)) ;GCS5
DCD ((B6_MT<<15)+(B6_Trcd<<2)+(B6_SCAN)) ;GCS6
DCD ((B7_MT<<15)+(B7_Trcd<<2)+(B7_SCAN)) ;GCS7
DCD ((REFEN<<23)+(TREFMD<<22)+(Trp<<20)+(Tsrc<<18)+(Tchr<<16)+REFCNT)
DCD 0x32 ;SCLK power saving mode, BANKSIZE 128M/128M
;DCD 0x02 ;SCLK power saving disable, BANKSIZE 128M/128M
DCD 0x20 ;MRSR6 CL=2clk
DCD 0x20 ;MRSR7 CL=2clk
BaseOfROM DCD |Image$$RO$$Base|
TopOfROM DCD |Image$$RO$$Limit|
BaseOfBSS DCD |Image$$RW$$Base|
BaseOfZero DCD |Image$$ZI$$Base|
EndOfBSS DCD |Image$$ZI$$Limit|
ALIGN
;Function for entering power down mode
; 1. SDRAM should be in self-refresh mode.
; 2. All interrupt should be maksked for SDRAM/DRAM self-refresh.
; 3. LCD controller should be disabled for SDRAM/DRAM self-refresh.
; 4. The I-cache may have to be turned on.
; 5. The location of the following code may have not to be changed.
;void EnterPWDN(int CLKCON);
EnterPWDN
;其实bootload根本不会执行
到下面的代码,下面关于EnterPWDN的代码纯属废码
mov r2,r0 ;r2=rCLKCON
tst r0,#0x8 ;SLEEP mode?
bne ENTER_SLEEP
ENTER_STOP
ldr r0,=REFRESH
;2440addr.inc中定义REFRESH EQU
0x48000024 ;DRAM/SDRAM refresh
ldr r3, ;r3=rREFRESH
mov r1, r3
orr r1, r1, #BIT_SELFREFRESH
str r1, ;Enable SDRAM self-refresh
mov r1,#16 ;wait until self-refresh is issued. may not be needed.
0 subs r1,r1,#1
bne %B0
ldr r0,=CLKCON ;enter STOP mode.
str r2,
mov r1,#32
0 subs r1,r1,#1 ;1) wait until the STOP mode is in effect.
bne %B0 ;2) Or wait here until the CPU&Peripherals will be turned-off
; Entering SLEEP mode, only the reset by wake-up is available.
ldr r0,=REFRESH ;exit from SDRAM self refresh mode.
str r3,
MOV_PC_LR
ENTER_SLEEP
;NOTE.
;1) rGSTATUS3 should have the return address after wake-up from SLEEP mode.
ldr r0,=REFRESH
ldr r1, ;r1=rREFRESH
orr r1, r1, #BIT_SELFREFRESH
str r1, ;Enable SDRAM self-refresh
mov r1,#16 ;Wait until self-refresh is issued,which may not be needed.
0 subs r1,r1,#1
bne %B0
yanhong 2010年09月11日
ldr r1,=MISCCR
ldr r0,
orr r0,r0,#(7<<17) ;Set SCLK0=0, SCLK1=0, SCKE=0.
str r0,
ldr r0,=CLKCON ; Enter sleep mode
str r2,
b . ;CPU will die here.
WAKEUP_SLEEP
;Release SCLKn after wake-up from the SLEEP mode.
ldr r1,=MISCCR
ldr r0,
bic r0,r0,#(7<<17) ;SCLK0:0->SCLK, SCLK1:0->SCLK, SCKE:0->=SCKE.
str r0,
;Set memory control registers
ldr r0,=SMRDATA
ldr r1,=BWSCON ;BWSCON Address
add r2, r0, #52 ;End address of SMRDATA
0
ldr r3, , #4
str r3, , #4
cmp r2, r0
bne %B0
mov r1,#256
0 subs r1,r1,#1 ;1) wait until the SelfRefresh is released.
bne %B0
ldr r1,=GSTATUS3 ;GSTATUS3 has the start address just after SLEEP wake-up
ldr r0,
mov pc,r0
;=====================================================================
; Clock division test
; Assemble code, because VSYNC time is very short
;=====================================================================
EXPORT CLKDIV124
EXPORT CLKDIV144
CLKDIV124
ldr r0, = CLKDIVN
ldr r1, = 0x3 ; 0x3 = 1:2:4
str r1,
; wait until clock is stable
nop
nop
nop
nop
nop
ldr r0, = REFRESH
ldr r1,
bic r1, r1, #0xff
bic r1, r1, #(0x7<<8)
orr r1, r1, #0x470 ; REFCNT135
str r1,
nop
nop
nop
nop
nop
mov pc, lr
CLKDIV144
ldr r0, = CLKDIVN
ldr r1, = 0x4 ; 0x4 = 1:4:4
str r1,
; wait until clock is stable
nop
nop
nop
nop
nop
ldr r0, = REFRESH
ldr r1,
bic r1, r1, #0xff
bic r1, r1, #(0x7<<8)
orr r1, r1, #0x630 ; REFCNT675 - 1520
str r1,
nop
nop
nop
nop
nop
mov pc, lr
ALIGN
AREA RamData, DATA, READWRITE
;================================================================================================;
; 按照我的分析,IRQ或者FIQ中断操作的时候一共跳了三次。一次当中断产生时进入绝对跳转地址,也就是硬 ;
; 件中断地址0x018或0x1c。然后跳转到HandleXXX函数,HandleXXX函数就是下面的中断向量表的HandleIRQ或 ;
; HandleFIQ。其中HandleIRQ存放IsrIRQ的地址,而ISRIRQ这个函数就是跳转到中断源对应的中断向量入口, ;
; 其中断向量在下面这张中断向量表的后大半部分。向量偏移由寄存器INTOFFSET指定,而INTOFFSET也是中断 ;
; 源硬件设置的。然后,在从次中断向量入口跳转到用户定义的中断处理函数,通过这一方法实现了中断跳转 ;
;=============================================================================================== ;
^ _ISR_STARTADDRESS ; _ISR_STARTADDRESS=0x33FF_FF00
HandleReset # 4
HandleUndef # 4
HandleSWI # 4
HandlePabort # 4
HandleDabort # 4
HandleReserved # 4
HandleIRQ # 4
HandleFIQ # 4
;Don t use the label 'IntVectorTable',
;The value of IntVectorTable is different with the address you think it may be.
;IntVectorTable
;@0x33FF_FF20
HandleEINT0 # 4
HandleEINT1 # 4
HandleEINT2 # 4
HandleEINT3 # 4
HandleEINT4_7 # 4
HandleEINT8_23 # 4
HandleCAM # 4 ; Added for 2440.
HandleBATFLT # 4
HandleTICK # 4
HandleWDT # 4
HandleTIMER0 # 4
HandleTIMER1 # 4
HandleTIMER2 # 4
HandleTIMER3 # 4
HandleTIMER4 # 4
HandleUART2 # 4
;@0x33FF_FF60
HandleLCD # 4
HandleDMA0 # 4
HandleDMA1 # 4
HandleDMA2 # 4
HandleDMA3 # 4
HandleMMC # 4
HandleSPI0 # 4
HandleUART1 # 4
HandleNFCON # 4 ; Added for 2440.
HandleUSBD # 4
HandleUSBH # 4
HandleIIC # 4
HandleUART0 # 4
HandleSPI1 # 4
HandleRTC # 4
HandleADC # 4
;@0x33FF_FFA0
END
ldr r1,=MISCCR
ldr r0,
orr r0,r0,#(7<<17) ;Set SCLK0=0, SCLK1=0, SCKE=0.
str r0,
ldr r0,=CLKCON ; Enter sleep mode
str r2,
b . ;CPU will die here.
WAKEUP_SLEEP
;Release SCLKn after wake-up from the SLEEP mode.
ldr r1,=MISCCR
ldr r0,
bic r0,r0,#(7<<17) ;SCLK0:0->SCLK, SCLK1:0->SCLK, SCKE:0->=SCKE.
str r0,
;Set memory control registers
ldr r0,=SMRDATA
ldr r1,=BWSCON ;BWSCON Address
add r2, r0, #52 ;End address of SMRDATA
0
ldr r3, , #4
str r3, , #4
cmp r2, r0
bne %B0
mov r1,#256
0 subs r1,r1,#1 ;1) wait until the SelfRefresh is released.
bne %B0
ldr r1,=GSTATUS3 ;GSTATUS3 has the start address just after SLEEP wake-up
ldr r0,
mov pc,r0
;=====================================================================
; Clock division test
; Assemble code, because VSYNC time is very short
;=====================================================================
EXPORT CLKDIV124
EXPORT CLKDIV144
CLKDIV124
ldr r0, = CLKDIVN
ldr r1, = 0x3 ; 0x3 = 1:2:4
str r1,
; wait until clock is stable
nop
nop
nop
nop
nop
ldr r0, = REFRESH
ldr r1,
bic r1, r1, #0xff
bic r1, r1, #(0x7<<8)
orr r1, r1, #0x470 ; REFCNT135
str r1,
nop
nop
nop
nop
nop
mov pc, lr
CLKDIV144
ldr r0, = CLKDIVN
ldr r1, = 0x4 ; 0x4 = 1:4:4
str r1,
; wait until clock is stable
nop
nop
nop
nop
nop
ldr r0, = REFRESH
ldr r1,
bic r1, r1, #0xff
bic r1, r1, #(0x7<<8)
orr r1, r1, #0x630 ; REFCNT675 - 1520
str r1,
nop
nop
nop
nop
nop
mov pc, lr
ALIGN
AREA RamData, DATA, READWRITE
;================================================================================================;
; 按照我的分析,IRQ或者FIQ中断操作的时候一共跳了三次。一次当中断产生时进入绝对跳转地址,也就是硬 ;
; 件中断地址0x018或0x1c。然后跳转到HandleXXX函数,HandleXXX函数就是下面的中断向量表的HandleIRQ或 ;
; HandleFIQ。其中HandleIRQ存放IsrIRQ的地址,而ISRIRQ这个函数就是跳转到中断源对应的中断向量入口, ;
; 其中断向量在下面这张中断向量表的后大半部分。向量偏移由寄存器INTOFFSET指定,而INTOFFSET也是中断 ;
; 源硬件设置的。然后,在从次中断向量入口跳转到用户定义的中断处理函数,通过这一方法实现了中断跳转 ;
;=============================================================================================== ;
^ _ISR_STARTADDRESS ; _ISR_STARTADDRESS=0x33FF_FF00
HandleReset # 4
HandleUndef # 4
HandleSWI # 4
HandlePabort # 4
HandleDabort # 4
HandleReserved # 4
HandleIRQ # 4
HandleFIQ # 4
;Don t use the label 'IntVectorTable',
;The value of IntVectorTable is different with the address you think it may be.
;IntVectorTable
;@0x33FF_FF20
HandleEINT0 # 4
HandleEINT1 # 4
HandleEINT2 # 4
HandleEINT3 # 4
HandleEINT4_7 # 4
HandleEINT8_23 # 4
HandleCAM # 4 ; Added for 2440.
HandleBATFLT # 4
HandleTICK # 4
HandleWDT # 4
HandleTIMER0 # 4
HandleTIMER1 # 4
HandleTIMER2 # 4
HandleTIMER3 # 4
HandleTIMER4 # 4
HandleUART2 # 4
;@0x33FF_FF60
HandleLCD # 4
HandleDMA0 # 4
HandleDMA1 # 4
HandleDMA2 # 4
HandleDMA3 # 4
HandleMMC # 4
HandleSPI0 # 4
HandleUART1 # 4
HandleNFCON # 4 ; Added for 2440.
HandleUSBD # 4
HandleUSBH # 4
HandleIIC # 4
HandleUART0 # 4
HandleSPI1 # 4
HandleRTC # 4
HandleADC # 4
;@0x33FF_FFA0
END
; 注意下面这段程序是个宏定义 很多人对这段程序不理解 我再次强调这是一个宏定义 所以大家要注意了下 ;
; 面包含的HandlerXXX HANDLER HandleXXX将都被下面这段程序展开这段程序用于把中断服务程序的首地址 ;
; 装载到pc中,有人称之为“加载程序”。本初始化程序定义了一个数据区(在文件最后),34个字空间,存 ;
; 放相应中断服务程序的首地址。每个字空间都有一个标号,以Handle***命名。在向量中断模式下使用“加 ;
; 载程序”来执行中断服务程序。这里就必须讲一下向量中断模式和非向量中断模式的概念向量中断模式是当 ;
; cpu读取位于0x18处的IRQ中断指令的时候,系统自动读取对应于该中断源确定地址上的;指令取代0x18处的 ;
; 指令,通过跳转指令系统就直接跳转到对应地址函数中 节省了中断处理时间提高了中断处理速度标 例如 ;
; ADC中断的向量地址为0xC0,则在0xC0处放如下代码:ldr PC,=HandlerADC 当ADC中断产生的时候系统会自 ;
; 动跳转到HandlerADC函数中非向量中断模式处理方式是一种传统的中断处理方法,当系统产生中断的时候 ;
; 系统将interrupt pending寄存器中对应标志位置位 然后跳转到位于0x18处的统一中断函数中 该函数通过 ;
; 读取interrupt pending寄存器中对应标志位 来判断中断源 并根据优先级关系再跳到对应中断源的处理代 ;
; 码中
;
;===============================================================================================;
MACRO
$HandlerLabel HANDLER $HandleLabel
$HandlerLabel
sub sp,sp,#4 ;decrement sp(to store jump address)
stmfd sp!,{r0} USH the work register to stack(lr does t push because it return to original address)
ldr r0,=$HandleLabel;load the address of HandleXXX to r0
ldr r0, ;load the contents(service routine start address) of HandleXXX
str r0, ;store the contents(ISR) of HandleXXX to stack
ldmfd sp!,{r0,pc} OP the work register and pc(jump to ISR)
MEND
;从ADS的段设置中导入字符常量
IMPORT |Image$$RO$$Base| ; Base of ROM code
IMPORT |Image$$RO$$Limit| ; End of ROM code (=start of ROM data)
IMPORT |Image$$RW$$Base| ; Base of RAM to initialise
IMPORT |Image$$ZI$$Base| ; Base and limit of area
IMPORT |Image$$ZI$$Limit| ; to zero initialise
;从后续的C语言中导入函数地址
IMPORT MMU_SetAsyncBusMode
IMPORT MMU_SetFastBusMode
IMPORT Main ; The main entry of mon program
AREA Init,CODE,READONLY
ENTRY
EXPORT __ENTRY
__ENTRY
;========
;复位
;========
ResetEntry
;1)The code, which converts to Big-endian, should be in little endian code.
;2)The following little endian code will be compiled in Big-Endian mode.
; The code byte order should be changed as the memory bus width.
;3)The pseudo instruction,DCD can t be used here because the linker generates error.
ASSERT EF:ENDIAN_CHANGE
;条件编译,在编译成机器码前就设定好,判断ENDIAN_CHANGE是否已定义,在Option.inc中GBLL ENDIAN_CHANGE
[ ENDIAN_CHANGE
;如果已经定义了ENDIAN_CHANGE,则判断,Option.inc中赋值ENDIAN_CHANGE SETL
{FALSE}
ASSERT EF:ENTRY_BUS_WIDTH ;判断
ENTRY_BUS_WIDTH是否已定义
[ ENTRY_BUS_WIDTH=32
;Option.inc中赋值ENTRY_BUS_WIDTH SETA 16
b ChangeBigEndian ;DCD 0xea000007
]
[ ENTRY_BUS_WIDTH=16
andeq r14,r7,r0,lsl #20 ;DCD 0x0007ea00
]
[ ENTRY_BUS_WIDTH=8
streq r0, ;DCD 0x070000ea
]
|
b ResetHandler
]
;此段代码没有可读性,待有时间查阅相关资料,芯片手册貌
似没有记录
;===============================================================================================;
; 异常中断矢量表(每个表项占4个字节)首地址在Option.inc中定义 _ISR_STARTADDRESS EQU 0x33ffff00 ;
; 下面是中断向量表 一旦系统运行时中断发生 即使移植了操作系统 如linux 处理器已经把控制权交给了操 ;
; 作系统一旦发生中断 处理器还是会跳转到从0x0开始从中断向量表中某个中断表项(依据中断类型)开始 ;
; 执行具体中断向量布局请参考s3c44b0 spec 例如 adc中断向量为0x000000c0下面对应表中第49项位置向量 ;
; 地址0x0+4*(49-1)=0x000000c0
;
;===============================================================================================;
b HandlerUndef ;handler for Undefined mode
b HandlerSWI ;handler for SWI interrupt
b HandlerPabort ;handler for PAbort
b HandlerDabort ;handler for DAbort
b . ;reserved
b HandlerIRQ ;handler for IRQ interrupt
b HandlerFIQ ;handler for FIQ interrupt
;@0x20
b EnterPWDN ; Must be @0x20.
;这个可不是中断哦,个人认为这一代码在机器正常运转的时候不会执行,放在这儿
应该是
;当
程序异常走到这儿的时候,可以执行类似睡眠这类处理,属异常操作。另一个重要原因
;是
可以避免下面过程的执行
ChangeBigEndian
;该段代码生涩难懂,属机器码。不加深入研究,
同时该段代码根本就没有被执行过
;@0x24
;主要用途:改变大小端
存储的方式,而这种改变又与总线宽度有关
[ ENTRY_BUS_WIDTH=32
DCD 0xee110f10 ;0xee110f10 => p15,0,r0,c1,c0,0
DCD 0xe3800080 ;0xe3800080 => orr r0,r0,#0x80; //Big-endian
DCD 0xee010f10 ;0xee010f10 => mcr p15,0,r0,c1,c0,0
]
[ ENTRY_BUS_WIDTH=16
DCD 0x0f10ee11
DCD 0x0080e380
DCD 0x0f10ee01
]
[ ENTRY_BUS_WIDTH=8
DCD 0x100f11ee
DCD 0x800080e3
DCD 0x100f01ee
]
DCD 0xffffffff ;swinv 0xffffff is similar with NOP and run well in both endian mode.
DCD 0xffffffff
DCD 0xffffffff
DCD 0xffffffff
DCD 0xffffffff
b ResetHandler
HandlerFIQ HANDLER HandleFIQ
HandlerIRQ HANDLER HandleIRQ
HandlerUndef HANDLER HandleUndef
HandlerSWI HANDLER HandleSWI
HandlerDabort HANDLER HandleDabort
HandlerPabort HANDLER HandlePabort
IsrIRQ
;下面有中断向量表跳转
的具体分析
sub sp,sp,#4 ;reserved for PC
stmfd sp!,{r8-r9}
ldr r9,=INTOFFSET
ldr r9,
ldr r8,=HandleEINT0
add r8,r8,r9,lsl #2
ldr r8,
str r8,
ldmfd sp!,{r8-r9,pc}
LTORG
;=======