低导通电阻TrenchFET功率 MOSFET（Vishay）
2008年12月24日 14:16 发布者：admin
Vishay推出新型20V 和30V的p沟道TrenchFET功率 MOSFET Si7633DP和Si7135DP。器件采用SO-8 封装，具有 ±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。现有的同类 SO-8 封装器件额定电压下导通电阻仅低至 24毫欧，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 m毫欧（10 V 下）及 5.5 毫欧（4.5 V下）的超低导通电阻。这些值比最接近的同类 30V 器件低 27%（10V下）和 28% （4.5V 下），比最接近的同类 25V SO-8 器件分别低 28% 和 15%。30V Si7135DP 的导通电阻为 3.9 毫欧（10V下） 和 6.2毫欧（4.5V 下），比最接近的同类器件分别低13%和19.5% 。这次推出的两款 MOSFET均采用 PowerPAK SO-8 封装，可容许比其他 SO-8 封装器件高 60% 的最大漏电流和高 75% 的最大功率损耗。
这两款新型器件可用作适配器切换开关，用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器切换开关（在适配器/墙壁电源和电池电源间切换）一直处于导通状态，消耗电流。Si7633DP 和Si7135DP的低导通电阻能耗低，节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。
Vishay 还推出了采用 SO-8 封装的 Si4459ADY 30-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET。该器件具有 5 毫欧（在 10 V 时）和 7.75毫欧（在4.5 V 时）的导通电阻。此次推出的所有器件 100% 通过 Rg 和 UIS 认证，且不含卤素。
目前，该新型Si7633DP和Si7135DP TrenchFET 功率 MOSFET可提供样品，并已实现量产。大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。