例说FPGA连载41:DDR控制器集成与读写测试之DDR2 IP核接口描述

2016年10月27日 16:13    发布者:rousong1989
例说FPGA连载41:DDR控制器集成与读写测试之DDR2 IP核接口描述特权同学,版权所有配套例程和更多资料下载链接:http://pan.baidu.com/s/1c0nf6Qc         如图4.13所示,这是DDR2 IP核与外部接口的功能框图。 图4.13 DDR IP核功能框图● 图左侧为用户逻辑(User logic),它与DDR2 IP核的接口通常命名为“local_*”;图右侧为FPGA外部的DDR2芯片,它与DDR2 IP核的接口通常命名为“mem_*”。● DDR2 IP核内部分两个部分,即图示的“ALTMEMPHY”和“存储控制器(Memory Controller)”,正如图中所示,它们各有分工。存储控制器产生DDR2芯片实际读写操作需要的时序;ALTMEMPHY有两部分功能,一个功能是对DDR2做自动校正(Aoto-Calibration),另一个功能是实现DDR2所需的物理接口。● DDR2的自动校正是在初始化阶段进行的,此时ALTMEMPHY断开用户逻辑和存储控制器之间的接口,ALTMEMPHY产生存储控制器所需的DDR2读写控制,直到校正完成。在初始化过后,ALTMEMPHY将不再需要控制存储控制器,而是一直保持用户逻辑和存储控制器的连通。● 另外,图中未明确示意,实际上这个DDR2 IP核还包括了一个PLL,用于时钟的管理。 现在我们来看ddr2_controller模块例化的接口。这里可以分为三大类,第一类为系统类接口,主要是一些系统或PLL的复位、时钟等接口;第二类为带“local_*”的接口,是DDR2 IP核与用户逻辑间的接口;第三类为带“mem_*”的接口,是DDR2 IP核与FPGA外部DDR2芯片的接口。        对于第一类接口,功能描述如表4.1所示。表4.1 DDR2 IP核系统接口列表
信号名方向功能描述
global_reset_nInputIP核的全局异步复位信号,低电平有效。该信号有效时,将使得ALTMEMPHY(包括PLL)都进入复位状态。
pll_ref_clkInputPLL的输入参考时钟信号。
soft_reset_nInputIP核的全局异步复位信号,低电平有效。该信号只能复位ALTMEMPHY,而不能复位PLL。
aux_half_rate_clkOutputphy_clk时钟信号的引出,时钟频率与phy_clk一样,可用于用户逻辑使用。
aux_full_rate_clkOutputphy_clk时钟信号的引出,时钟频率是phy_clk的两倍,可用于用户逻辑使用。
reset_request_nOutput复位输出,用于指示用户逻辑DDR2 IP核的内部PLL输出locked还未完成。
phy_clkOutputALTMEMPHY产生供用户逻辑使用的半速率时钟信号。所有输入和输出到ALTMEMPHY的用户逻辑接口信号,都与此时钟同步。
reset_phy_clk_nOutput与phy_clock时钟域相关的复位信号,低电平有效。可用此时钟复位所有DDR IP核和用户逻辑接口相关的信号。
注:方向是相对DDR2 IP核而言的。        对于第二类带“local_*”的用户逻辑接口,功能描述如表4.2所示。表4.2 DDR2 IP核本地接口列表
信号名方向功能描述
local_addressInput本地逻辑对DDR2 IP核的数据读出或写入地址。
local_write_reqInput本地逻辑对DDR2 IP核的数据写入请求信号,高电平有效。
local_read_reqInput本地逻辑对DDR2 IP核的数据读出请求信号,高电平有效。
local_burstbeginInput本地逻辑对DDR2 IP核的数据突发传输起始标志信号。多个数据传输时,该信号在 local_write_req或local_read_req信号拉高的第一个时钟周期时保持高电平,用于指示传输的起始。
local_wdataInput本地逻辑写入到DDR IP核的数据总线信号,每次写入4个16bit数据。
local_beInput读写数据字节使能标志信号。Local_be的每个位对应local_wdata或local_rdata的8bit数据是否有效。
local_size        Input突发传输的有效数据数量,即传输多少个local_wdata或local_rdata数据。
local_readyOuputDDR2 IP核输出的当前读写请求已经被接收的指示信号,高电平有效。
local_rdataOutputDDR IP核输出的本地逻辑读出数据总线信号,每次读出4个16bit数据。
local_rdata_validOutputlocal_rdata数据总线输出有效信号,高电平有效。
local_refresh_ackInput本地逻辑输入到DDR IP核的刷新请求信号。
local_init_doneOutputALTMEMPHY完成DDR存储控制器的自动校准操作,拉高该信号。该信号可以作为用户逻辑的复位信号。
注:方向是相对DDR2 IP核而言的。        第三类是带“mem_*”的DDR2芯片接口,前面已经给出基本的功能描述,这里不再赘述。DDR2的在我们设计中例化的接口映射代码如下所示。 ////////////////////////////////////////////////////        //DDR2 controller and phy IP core ddr2_controller                ddr2_controller_inst (                        .local_address(local_address),                        .local_write_req(local_write_req),                        .local_read_req(local_read_req),                        .local_burstbegin(local_read_req | local_write_req),                        .local_wdata(local_wdata),                        .local_be(8'hff),                        .local_size(3'd1),                        .global_reset_n(sys_rst_n),                        .pll_ref_clk(clk_100m),                        .soft_reset_n(1'b1),                        .local_ready(local_ready),                        .local_rdata(local_rdata),                        .local_rdata_valid(local_rdata_valid),                        .local_refresh_ack( ),                        .local_init_done(local_init_done),                        .reset_phy_clk_n(reset_phy_clk_n),                        .mem_odt(mem_odt),                        .mem_cs_n(mem_cs_n),                        .mem_cke(mem_cke),                        .mem_addr(mem_addr),                        .mem_ba(mem_ba),                        .mem_ras_n(mem_ras_n),                        .mem_cas_n(mem_cas_n),                        .mem_we_n(mem_we_n),                        .mem_dm(mem_dm),                        .phy_clk(phy_clk),                        .aux_full_rate_clk( ),                        .aux_half_rate_clk( ),                        .reset_request_n( ),                        .mem_clk(mem_clk),                        .mem_clk_n(mem_clk_n),                        .mem_dq(mem_dq),                        .mem_dqs(mem_dqs)                        );